Samsung oznámil, že mu Intel certifikoval vůbec první DRAM paměť vyrobenou 40nm výrobní technologií. Jde o DDR2 SODIMM modul s kapacitou 1 GB osazený osmi Gbitovými čipy. Osvědčení získali pro Intel G45 Express mobilní čipset. Do konce roku by ještě Samsung chtěl přijít s 2Gbitovým čipem vyrobeným stejnou technologií. Přechodem z 50nm na 40nm výrobu dojde k až 30% úspoře energie a zvýšení produktivity asi o 60 %. Rozjezd 40nm technologie je významný krok vývoji další generace ultra výkonné DRAM technologie jako je DDR4.