Samozřejmě nečekejme miliardy tranzistorů, spíše se podobá prvnímu integrovanému obvodu Jacka Kilbyho a na cestě ke komplexním čipům jsme teprve na začátku. Integrovaný obvod se skládá zatím "pouze" z jednoho tranzistoru a dvou cívek, ale v IBM se podařilo vše zařídit tak, že ani vlastní slabina grafenu - špatná přilnavost ke kovům i oxidům - nedělá problémy.

Komponenty jsou umístěny na podkladu tvořeném karbidem křemíku (SiC, sloučenina uhlíku a křemíku). Vyvinutá výrobní metoda je kompatibilní se stávajícími konvenčními, takže je zde předpoklad relativně bezproblémového rozjezdu případné budoucí sériové výroby. Syntetizace grafenu na čipu se provádí termální desorpcí (uvolněním adsorbovaných molekul z povrchu dané látky) ze zmíněného SiC waferu, kdy vznikají na povrchu vrstvy grafenu. Kanály v tranzistoru následně obstará klasická litografie s elektronovým paprskem, odstranění přebytečného grafenu pak kyslíková plasma. Pro formování cívek se vedle elektronové litografie použije vložení mikronové vrstvičky hliníku na wafer. Vše pak nakonec izoluje od kovových propojovacích cest elektronové odpařování 120nm vrstvičky oxidu křemičitého v podkladu.

Již nyní je technologie v principu schopná nasazení v bezdrátových komunikačních zařízeních a do budoucna se počítá s možným využitím jakožto zesilovače. Vědci z IBM nyní pracují na dalších vylepšeních své technologie, aby tak zajistili vyšší výkon. Je ještě spousta prostoru v optimalizacích struktury čipu, kvality samotného grafenu či dielektrika řídící elektrody tranzistoru. A konečně také pracují na komplexnějších čipech, ale o tom jistě uslyšíme zase někdy příště.