Taiwanská společnost UMC se v pondělní tiskové zprávě pochlubila, že vyrobila vůbec první plně funkční SRAM 28nm technologií, k čemuž jí dopomohl její vlastní LL (low-leakage) postup. S imersní litografií s dvojitým vzorem a s přepjatým křemíkem zvládnou vyrobit šesti tranzistorovou buňku na ploše přibližně 0,122 µm². Na této technologii budou využívat jak high-k materiálů (HKMG), tak i oxynitridu křemíku (SiON) s LL, když první se hodí pro velmi rychlé čipy, jako jsou třeba grafická jádra, nebo procesory, low-leakage je pak vhodnější pro čipy určené pro mobilní telefony a další přenosná zařízení. Na 28 nm se dosahuje dvakrát takové hustoty než se 40 nm používanými na 300mm křemíkových deskách dnes.