20nm Snapdragon 810 vytáhne baterii rychleji než 28nm předchůdci
Začátkem roku nepustil Samsung do výroby variantu Galaxy S6 osazenou procesorem Snapdragon 810 od Qualcommu pro údajné přehřívání. Tento týden se objevily testy telefonu HTC One M9, který je rovněž zmíněným procesorem vybavený. V klidu nebo při běžném použití sice co do teplot nevykazoval telefon nijak mimořádné chování, ale při zatížení testem GFXBench dosahoval teplot o 13-18 °C vyšších než konkurenční telefony (více ve článku: Qualcomm Snapdragon 810 se přehřívá).
Zatímco někteří tento výsledek považovali za důkaz toho, že se SoC nebude něco úplně v pořádku, jiní přisuzovali negativní zprávy konkurenčnímu boji. Jenže společnost HTC začátkem týdne namísto očekávaného vydání telefonu One M9 oznámila, že se uvedení odkládá na tento pátek (20. března) z důvodu nutnosti aktualizovat software telefonu. Že tato aktualizace souvisí s řešením nečekaně vysokého zahřívání v náročných aplikacích, se přímo nabízí.
Výdrž baterie při přehrávání videa v hodinách a minutách (dle měření webu Tweakers)
Mezi tím ale prosákly výsledky dalších testů, které se zaměřují na výdrž baterie. Přestože Snapdragon 810 vzniká na 20nm výrobním procesu, který o něco snižuje energetické nároky, jsou naměřené výsledky horší než u prakticky všech 28nm čipů.
Výdrž baterie při procházení webu v hodinách a minutách (dle měření webu Tweakers)
Pokud nebudeme věřit v celosvětové spiknutí proti Qualcommu, začíná to vypadat, že Snapdragon 810 může mít nějaký problém. Nečekaně vysoké teploty v zátěži a nečekaně krátkou výdrž nejsnáze vysvětlují vysoké energetické nároky. Nezdá se, že by problém mohl spočívat přímo ve 20nm procesu TSMC; vyrábí na něm i Apple a u jeho produktů se podobné problémy neprojevily. Moudřejší budeme, až se objeví testy s aktualizovanou softwarovou výbavou. Bylo by ale asi nereálně optimistické očekávat, že případné vysoké energetické nároky dokáže dodatečná softwarová záplata umravnit na úroveň odpovídající 20nm SoC od Applu nebo méně žravých 28nm produktů.