Vrstvené DDR v pouzdře (před rokem 2010), 3D V-NAND (2013), HBM s TSV (2015)… Vrstvení vstoupilo do segmentu pamětí z několika důvodů, hlavně však proto, že zpomalily výrobní procesy. Intervaly mezi novými procesy jsou čím dá delší, jejich přínosy oproti předchozí generaci čím dál nižší, ale v segmentu pamětí je stále potřeba navyšovat kapacitu i datovou propustnost a vrstvení se ukázalo být efektivní kompenzací zpomaleného vývoje procesů.

V západním světě se nyní rozšířila zpráva, že Intel předvedl své ZAM paměti, průlomovou architekturu pamětí, a tak dále. Hned v úvodu je potřeba uvést na pravou míru, že se situace má poněkud jinak a za tuto zkreslenou či chybně přeloženou verzi může WCCFTech. Paměti nepředstavil Intel, ale Saimemory (na fotografiích je logo Intelu primárně z toho důvodu, že k vystoupení společnosti Saimemory došlo na akci Intel Connection Japan 2026).

Saimemory (PCWatch)

Co je vlastně Saimemory? Jde o společnost formálně založenou v prosinci 2024 a fakticky fungující teprve od pololetí 2025. Není známo, že by tato společnost měla vazby na jakékoli významnější výrobce pamětí. Saimemory byla založena japonskou SoftBank a Intel by měl být zodpovědný za určité „počáteční investice a strategická rozhodnutí“, ale bližší informace nejsou k dispozici. V červnu 2025 PCWatch oznámila, že Saimemory založila SoftBank investicí 3 miliard jenů a dále, že dostane nějaké prostředky z vládního investičního balíku, který dosahuje 10 bilionů jenů (asi $70 miliard). Zdůrazňuji, že tato částka je investičním balíkem pro celý IT/AI průmysl, nikoli pouze pro Saimemory. Investice SoftBank zároveň měla stačit k tomu, aby se tato finanční společnost stala majoritním akcionářem Saimemory.

V pololetí 2025 byl zmíněn ještě Intel a The University of Tokyo, ale bez konkretizace jejich vkladu. Ten však jistě ani doposud nepřekonal vklad SoftBank, neboť Saimemory o sobě stále hovoří jako o firmě, která řídí next-gen vizi SoftBank.

ZAM (PCWatch)

Co vlastně Saimemory představila: Vrstvení pamětí v kontextu HBM prohlásila za vyčerpanou technologii. Současných 16 vrstev prý již nebude výrazně překonáno a maximem se stane 20 vrstev. Více prý nelze chladit. Saimemory proto navrhuje tzv. ZAM memory (ZAM paměti), které se liší uspořádáním vrstev nikoli horizontálně, ale vertikálně, tedy ne na sobě, ale nastojato vedle sebe. Tyto vrstvy by byly relativně nízké, ale vedle sebe by jich mohlo být podstatně větší množství. Saimemory loni hovořila o 40% energetické úspoře (letos snad měla zmínit 40-50% úsporu) a možnost až 512GB konfigurací. Řešení má cílit na AI, zjevně jako další směr vývoje (nebo náhrada) HBM. (Pokud jste viděli obrázek pocházející ze článku WCCFTech, pak na něj raději zapomeňte, neboť jde o AI generovanou malůvku, která neodpovídá popisu ve zdroji.)

Trochu znepokojující je úplná absence jakékoli zmínky o vazbě nebo spolupráci s výrobci pamětí, bez kterých je prosazení jakékoli nové myšlenky do segmentu pamětí nereálné. Připomeňme, že Hynix (spolu s AMD) stojí za technologií HBM, Samsung dokázal technologii rychle adaptovat a vylepšit, takže již v éře HBM3 podílem na trhu zhruba dohnal Hynix. Micron se k výrobě HBM přidal později, protože (ve spolupráci s Intelem) razil vlastní a neúspěšné HMC.