Nové 1Tbit V-NAND čipy od Samsungu se objeví v příštím roce, pro tuto chvíli ale firma již dodává svým partnerům zkušební vzorky a předvádí čipy na výstavách (třeba aktuálním Samsung Tech Day, stejně tak budou k vidění i na nejbližším Flash Memory Summit).

O 1Tbitových NAND flash čipech hovořil Samsung jako o výhledu na budoucí vývoj v roce 2013, kdy současnou technologii vrstvených NAND flash pamětí představoval. Nakonec to tedy trvalo čtyři roky ke stádiu vzorků, resp. pět let k sériové výrobě, každopádně jihokorejský obr je s touto kapacitou vůbec prvním z výrobců.

1Tbit V-NAND die uvidíme v příštím roce vrstvené v počtu 16 kusů v jednom pouzdře, tedy s celkovou kapacitou 2 TB. Použitím 8 těchto 16vrstvých čipů vznikne 16TB NAND flash úložiště budoucího form-factoru odpovídajícího současným M.2 / U.2 kartičkám - NGSFF (Next Generation Small Form Factor). Očekávat můžeme (s ohledem na celkový počet 16 × 8 = 128 NAND flash die) extrémně vysoké přenosové rychlosti a hodnoty IOPS, prý na úrovni současných 1U rackových řešení.

Kartička NGSFF má přitom rozměry 30,5 × 110 × 4,38 mm. Samsung na její bázi předvádí 1U rack s kapacitu 576 TB použitím 36 těchto NGSFF kartiček. Tento referenční systém poskytuje výkon 10 000 000 IOPS, což trojnásobně převyšuje současná 1U řešení s 2,5" SSD (nicméně je tedy zjevné, že zde může sedět i jiná žába na prameni, která neumožní „protlačit“ celý výkonnostní potenciál směrem ven). Sériová výroba nastartuje koncem tohoto roku, na standardizaci NGSFF Samsung pracuje s partnery.