V roce 2024 dorazily na trh akcelerátory postavené na pamětech HBM3E, neboť původní HBM3 svoji datovou propustností přestávaly stačit. První zakázky získal Hynix. Samsung se však potýkal s problémy, což po velkém úspěchu HBM3 bylo docela nečekané. Zdržení na straně Samsungu dokázal využít Micron, který se v kontextu HBM3E stal sekundárním dodavatelem této technologie, což mu takříkajíc zachránilo krk. Společnost se dlouhá léta potýkala s finančními problémy a držely ji z velké části zakázky na GDDR5X a GDDR6X od Nvidie.

Nyní Samsung oznámil zahájení komerčních dodávek HBM4 podporujících 11,7 Gb/s standardně a 13 Gb/s po přetaktování. Tyto charakteristiky jsou podle některých neoficiálních zdrojů požadovány Nvidií pro získání zakázek na dodávky pro příští generaci AI akcelerátorů Rubin.

Nvidia Rubin (Nvidia)

Samsung vyrábí základny HBM4 na 4nm procesu a jednotlivé vrstvy na tzv 1c procesu, což je šestá generace tzv. 10nm-class výroby (1x, 1y, 1z, 1a, 1b a 1c). Samsung již s 1x procesem experimentoval s EUV litografií a s dalšími generacemi její nasazení rozšiřoval na vyšší počty vrstev. I když jde tedy formálně o „dvouciferné“ procesy, nelze je považovat za adekvátní dvouciferným (16nm, 14nm, 12nm…) procesům používaným pro logiku, které EUV litografii nevyužívaly. Poprvé se objevila na nepříliš úspěšné variantě 7nm procesu TSMC značené jako N7+, kterou později nahradil podstatně úspěšnější proces N6.

11,7Gb/s HBM4 zvyšují přenosovou rychlost o 22% oproti 9,6Gb/s HBM3E. V kombinaci s 2× širším (2048bit) rozhraním oproti předchozím generacím HBM a s ohledem na podporu 13Gb/s rychlosti lze dosáhnout zvýšení přenosové rychlosti až 2,7× na jedno pouzdro oproti zmíněným HBM3E.

Paměti HBM4 letos využijí akcelerátory Nvidia Rubin a AMD Instinct řady MI400.