2. generace 10nm-class výroby Samsungu sníží spotřebu i výšku LPDDR4X-4266
Nové LPDDR5 nabízejí kombinaci vyššího výkonu a nižší spotřeby zároveň, alespoň oproti dosavadním LPDDR4(X), ale než dojde k distribuci a než je výrobci zahrnou do konkrétních produktů, bude to ještě poměrně dlouhou dobu trvat. Samsung proto aktualizoval použitím druhé generace 10nm-class procesu i stávající LPDDR4X. První generaci 10nm-class lze chápat jako 18-19nm proces, druhá generace by měla znamenat 15-16nm proces.
Tento přechod znamená pro výrobce telefonů dvě výhody. V první řadě dochází u LPDDR4X-4266 k poklesu spotřeby o 10 %. Za druhé Samsung snížil rozměry pouzdra, takže výška potřebná pro implementaci LPDDR4X klesá o více než 20 %, což ocení především výrobci tenkých smartphonů.
Samsung do tzv. ultra-slim pouzdra integroval celkem 8 GB LPDDR4X složených ze čtyř 10nm-class 16Gb LPDDR4X DRAM čipů (16Gb=2GB). Čtyřkanálové řešení je schopné dosáhnout datové propustnosti 34,1 GB/s.
V souvislosti s druhou generací 10nm-class LPDDR4X ohlásil Samsung ještě dvě informace: Spuštění nové výrobní linky v Pyeongtaek v Koreji, což by mělo vést k lepšímu uspokojení rostoucí poptávky. Druhá generace mobilních 10nm-class pamětí by měla mít dopad na produkty vydané na konci letošního či začátku příštího roku, takže jimi dost možná bude vybavena modelová řada Samsung Galaxy S10.
Diskuse ke článku 2. generace 10nm-class výroby Samsungu sníží spotřebu i výšku LPDDR4X-4266