Samsung ohlásil LPDDR5, srazí spotřebu o třetinu
Počátkem roku avizoval Samsung urychlení nástupu nových generací paměťových technologií postavených na tzv. 10nm-class procesu. Důvodem mělo být rychlejší než plánované nasazení této výroby v segmentu pamětí. Pro předejití zmatků připomínám, že obratem „10nm-class“ myslí Samsung souborně procesy od 10nm do 19nm. Konkrétně ve vztahu k pamětem, o nichž je řeč, jde zhruba o 16nm proces (Samsung pro výrobu paměťových technologií využívá různé linky, jejichž „nanometry“ se liší v jednotkách, takže nelze říct přesně, o který proces půjde, ale jde o „druhou generaci 10nm-class“, takže cosi kolem 15-16 nanometrů.
Když v lednu Samsung nasazení nového procesu avizoval, zmínil, že jeho použití přinese DDR5, GDDR6, LPDDR5 a HBM3. Situaci kolem GDDR6, HBM3 a DDR5 jsme si tehdy rozebrali, na LPDDR5 se podíváme nyní. Avízo konkrétního 8Gb LPDDR5 čipu dává tušit, že již letos plánuje Samsung tyto čipy dodávat. Přitom zmíněné DDR5 vzniknou v letošním roce pouze jako testovací vzorky a zahájení výroby je plánované až na rok 2019 (patrně půjde spíš o komerční vzorky, protože ve vztahu k Zen 2 od AMD ani Ice Lake od Intelu se o podpoře DDR5 nehovořilo).
LPDDR5 tedy dostaly přednost, což patrně souvisí s větší flexibilitou a kratšími vývojovými cykly v mobilním světě. Tam má navíc nová technologie co nabídnout. Dosáhne až o 50 % vyšších datových přenosů (6400 Mbit/s namísto u LPDDR4X maximálních 4266 Mbit/s) při napětí 1,1 voltu. Pokud je prioritou energetická efektivita, pak může nabídnout čipy pracující při 1,05 voltu dosahující 5500 Mbit/s. Oproti LPDDR4 byl zdvojnásoben počet paměťových bank (8->16), díky čemuž je možné dosahovat vyšší přenosové rychlosti při nižší spotřebě.
Spotřeba nebude snížena pouze v zátěži; čip má schopnost regulovat napětí podle vytížení a dále přináší tzv. „deep sleep mode“, který v klidové fázi snižuje spotřebu (oproti LPDDR4 v režimu „idle“) na polovinu. Díky těmto vylepšením uvádí Samsung celkově 30% snížení spotřeby. Samsung úspěšně dokončil testování funkcí a validaci vzorku 8GB LPDDR5 DRAM modulu složeného z osmi 8Gb LPDDR5 čipů.