V segmentu pamětí nejde ani tak o dosahování maximálních taktovacích frekvencí, jako spíš snahu dostat na danou plochu co nejvíce dat, samozřejmě při rentabilních výrobních nákladech. Z toho důvodu někdy od ~20nm generace postupují procesy používané k výrobě pamětí zdánlivě pomalu výrobci používají značení jako 10nm-class, 1xnm nebo 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c a 1d, než aby v marketingových materiálech uváděli, že se po dvou letech snažení posunou z „19nm“ procesu na „18nm“ a tak dále.

Pozitivní zprávou proto může být, že se Samsungu podařil průlom. 

Kombinace struktury a procesu má přinést 50% navýšení denzity, tedy množství dat na jednotku plochy. Při stávajícím nedostatku výrobních kapacit jde o pozitivní zprávu, byť spíše o budoucna. Nasazení do velkokapacitní výroby jistě nebude záležitostí letošního roku. V praxi to ale znamená, že z daného waferu bude možné vyrobit úložiště o +50 % vyšší kapacitě, jinými slovy má tato kombinace technologií potenciál o polovinu zvýšit objemy výroby vyjádřené kapacitou paměti při zachování objemů výroby vyjádřených ve waferech.

4F struktura (Samsung)

Technologie využívá tzv. IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide, (In₂O₃)_x(Ga₂O₃)_y(ZnO)_1-x-y) a zmenšuje buňky z 3F×2F (6F) na 2F×2F (4F), což dává samo o sobě potenciál 50% navýšení denzity (do vyladění technologie možná jen o 30 %).

První (planární) produkty se na trh dostanou v roce 2028 a 3D (vrstvená) řešení mají následovat v letech 2029-2030.