Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Diskuse k Samsung rozjel „10nm“ sériovou výrobu DDR4

Otázka na pokrokové uživatele: už jste někdo měl v rukou DDR4 DIMM? Má to opravdu střední část na straně kontaktů takovou lehce vystouplou, jak to ukazuje obrázek v úvodu článku?

+1
+6
-1
Je komentář přínosný?

jo, viz moje srovnávací fotka z roku 2014 tuším... http://abload.de/img/sdr-ddr-ddr2-ddr3-ddrqzrig.jpg

+1
+3
-1
Je komentář přínosný?

pak je fotografie v nadpisu článku dost prapodivná. Z jedné strany dlouhé dělší piny a z druhé strany už ne.

+1
-5
-1
Je komentář přínosný?

to vpravo není druhá strana, ale SODIMM (nejen) do notebooků

+1
+1
-1
Je komentář přínosný?

Jenže ty kontakty nejsou lehce vystouplé, ale delší. Slovo vystouplé znamená v češtině, že by ty kontakty byly uprostřed pamětí silnější než okolní kontakty.

+1
-7
-1
Je komentář přínosný?

Tak koukám, že diletantů co neumí česky se zde schází více.

+1
-3
-1
Je komentář přínosný?

mě by zase zajmalo, jestli se ta ramka zacvakává lépe než předchudci... protože zacvakat třeba 32dimmek do desky není žádnej med...

+1
-4
-1
Je komentář přínosný?

Ten tvar by mohl zasouvani pomoct. pri zatlaceni by se mely jako prvni chytnou kontakty okolo prepazky a vest DIMM v patici bez zkrizeni jako se to deje u DDR2/3. Navic neprekonavas naraz vsechny kontakty patice, ale jen tu delsi polovinu.

V ruce jsem to zatim nemel, ale mohlo by to pomoct. Souhlasim, ze mordovat se s RAMkami neni zrovna dobra zabava.

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Jo, tuhle informaci jsem nakonec taky dohledal. Dává to smysl. Na vtlačení DIMMu do slotu je tak zapotřebí menší síly (nejdřív překonám část odporu pružin ve slotu, a až pak, když je ta část už překonaná, teprve začnu překonávat i ten zbytek, zatímco již vtlačená část pak už neklade takový odpor).

+1
+4
-1
Je komentář přínosný?

při zatlačávání jsem si nevšiml rozdílu, pořád je to stejný, zkusil jsem ji chytnout za ten chladící plech okolo a nevadilo jí to, zvládla to.

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Nic moc informace, když uvážíme, že se již běžně vyrábí „5nm“ DDR4

+1
-19
-1
Je komentář přínosný?

Existuje nějaké, ideálně odborné, povídání o tom jak ovlivňuje zmenšování paměťové buňky její chybovost. Dalo by se předpokládat, že bude stačit menší částice příp. částice s menším nábojem ke změně stavu (přeci jen kosmické záření tu s námi je).

+1
+10
-1
Je komentář přínosný?

"Velikost castice" je protimluv. U castice se muzeme bavit o hmotnosti, naboji, spinu, energii ... ale o velikosti opravdu ne. Takze pro zacatek by se hodilo vedet, jestli je nebezpecnejsi naboj nebo energie.

Tak me napada ... ze by ty kovove chladice nebyly dobre pouze k chlazeni?

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Z fyzikálního hlediska se prokázalo, že sníženým procesem klesá kapacita vodivého substrátu a tedy životnost vlastních čipů. Levnější výroba, vyšší výtěžnost a zvyší se míra opotřebení substrátu, která zaručí, že si koupíš novou paměť o něco dříve.

+1
-2
-1
Je komentář přínosný?

Nějaká opora pro tvrzení "se prokázalo" by byla? Rád bych si to prostudoval.

+1
-3
-1
Je komentář přínosný?

naboj a zareni je jedna vec, pak jsou tady drobnosti jako elektromigrace :

https://en.wikipedia.org/wiki/Electromigration

TL;DR : elektrony ktere nesou el.proud, pri svem pohybu mezi atomu kovu, tem atomum rozdavaji "kopance" :) coz u vodicu mm prurezu nevadi, ale u nanometrovych prurezu casem ten vodic prerusi.... hadam ze vyrobci to berou jako pohodlne kurvitko...

+1
+3
-1
Je komentář přínosný?

Ted mi jeste napadlo...

http://arstechnica.com/security/2016/03/once-thought-safe-ddr4-memory-sh...

takze tady mas odpoved - na zmenu bitu kosmicke zareni nepotrebujes, staci ti spravny software :D

+1
+1
-1
Je komentář přínosný?

Tak se to lépe odstíní. Větší problém je rušení buněk mezi sebou e-m indukcí a tunelováním.

+1
-1
-1
Je komentář přínosný?

Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.