Otázka na pokrokové uživatele: už jste někdo měl v rukou DDR4 DIMM? Má to opravdu střední část na straně kontaktů takovou lehce vystouplou, jak to ukazuje obrázek v úvodu článku?
+1
+6
-1
Je komentář přínosný?
Otázka na pokrokové uživatele
WIFT https://diit.cz/autor/wift
5. 4. 2016 - 14:53https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseOtázka na pokrokové uživatele: už jste někdo měl v rukou DDR4 DIMM? Má to opravdu střední část na straně kontaktů takovou lehce vystouplou, jak to ukazuje obrázek v úvodu článku?https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874590
+
5. 4. 2016 - 14:57https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskusejo, viz moje srovnávací fotka z roku 2014 tuším... http://abload.de/img/sdr-ddr-ddr2-ddr3-ddrqzrig.jpghttps://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874591
+
pak je fotografie v nadpisu článku dost prapodivná. Z jedné strany dlouhé dělší piny a z druhé strany už ne.
+1
-5
-1
Je komentář přínosný?
pak je fotografie v nadpisu
Begy https://diit.cz/profil/begy
5. 4. 2016 - 15:38https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskusepak je fotografie v nadpisu článku dost prapodivná. Z jedné strany dlouhé dělší piny a z druhé strany už ne.https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874601
+
to vpravo není druhá strana, ale SODIMM (nejen) do notebooků
+1
+1
-1
Je komentář přínosný?
to vpravo není druhá strana,
g006 https://diit.cz/profil/g006
5. 4. 2016 - 15:50https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseto vpravo není druhá strana, ale SODIMM (nejen) do notebookůhttps://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874603
+
Jenže ty kontakty nejsou lehce vystouplé, ale delší. Slovo vystouplé znamená v češtině, že by ty kontakty byly uprostřed pamětí silnější než okolní kontakty.
+1
-7
-1
Je komentář přínosný?
Jenže ty kontakty nejsou
Trashman https://diit.cz/profil/trashman
5. 4. 2016 - 15:17https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseJenže ty kontakty nejsou lehce vystouplé, ale delší. Slovo vystouplé znamená v češtině, že by ty kontakty byly uprostřed pamětí silnější než okolní kontakty.https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874597
+
Tak koukám, že diletantů co neumí česky se zde schází více.
+1
-3
-1
Je komentář přínosný?
Tak koukám, že diletantů co
Trashman https://diit.cz/profil/trashman
6. 4. 2016 - 12:19https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseTak koukám, že diletantů co neumí česky se zde schází více.https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874676
+
mě by zase zajmalo, jestli se ta ramka zacvakává lépe než předchudci... protože zacvakat třeba 32dimmek do desky není žádnej med...
+1
-4
-1
Je komentář přínosný?
mě by zase zajmalo, jestli se
dawe https://diit.cz/profil/dawe-dawe
5. 4. 2016 - 19:28https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskusemě by zase zajmalo, jestli se ta ramka zacvakává lépe než předchudci... protože zacvakat třeba 32dimmek do desky není žádnej med... https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874630
+
Ten tvar by mohl zasouvani pomoct. pri zatlaceni by se mely jako prvni chytnou kontakty okolo prepazky a vest DIMM v patici bez zkrizeni jako se to deje u DDR2/3. Navic neprekonavas naraz vsechny kontakty patice, ale jen tu delsi polovinu.
V ruce jsem to zatim nemel, ale mohlo by to pomoct. Souhlasim, ze mordovat se s RAMkami neni zrovna dobra zabava.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
Ten tvar by mohl zasouvani
JoHnY3 https://diit.cz/profil/johny3
6. 4. 2016 - 02:59https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseTen tvar by mohl zasouvani pomoct. pri zatlaceni by se mely jako prvni chytnou kontakty okolo prepazky a vest DIMM v patici bez zkrizeni jako se to deje u DDR2/3. Navic neprekonavas naraz vsechny kontakty patice, ale jen tu delsi polovinu.
V ruce jsem to zatim nemel, ale mohlo by to pomoct. Souhlasim, ze mordovat se s RAMkami neni zrovna dobra zabava.https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874646
+
Jo, tuhle informaci jsem nakonec taky dohledal. Dává to smysl. Na vtlačení DIMMu do slotu je tak zapotřebí menší síly (nejdřív překonám část odporu pružin ve slotu, a až pak, když je ta část už překonaná, teprve začnu překonávat i ten zbytek, zatímco již vtlačená část pak už neklade takový odpor).
+1
+4
-1
Je komentář přínosný?
Jo, tuhle informaci jsem
WIFT https://diit.cz/autor/wift
6. 4. 2016 - 10:43https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseJo, tuhle informaci jsem nakonec taky dohledal. Dává to smysl. Na vtlačení DIMMu do slotu je tak zapotřebí menší síly (nejdřív překonám část odporu pružin ve slotu, a až pak, když je ta část už překonaná, teprve začnu překonávat i ten zbytek, zatímco již vtlačená část pak už neklade takový odpor).https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874669
+
při zatlačávání jsem si nevšiml rozdílu, pořád je to stejný, zkusil jsem ji chytnout za ten chladící plech okolo a nevadilo jí to, zvládla to.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
při zatlačávání jsem si
Jaroslav Crha https://diit.cz/profil/jaroslav-crha
6. 4. 2016 - 12:10https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskusepři zatlačávání jsem si nevšiml rozdílu, pořád je to stejný, zkusil jsem ji chytnout za ten chladící plech okolo a nevadilo jí to, zvládla to. https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874675
+
Nic moc informace, když uvážíme, že se již běžně vyrábí „5nm“ DDR4
+1
-19
-1
Je komentář přínosný?
Nic moc informace, když
Trashman https://diit.cz/profil/trashman
5. 4. 2016 - 15:14https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseNic moc informace, když uvážíme, že se již běžně vyrábí „5nm“ DDR4https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874594
+
Existuje nějaké, ideálně odborné, povídání o tom jak ovlivňuje zmenšování paměťové buňky její chybovost. Dalo by se předpokládat, že bude stačit menší částice příp. částice s menším nábojem ke změně stavu (přeci jen kosmické záření tu s námi je).
+1
+10
-1
Je komentář přínosný?
Existuje nějaké, ideálně
Kert https://diit.cz/profil/kert
5. 4. 2016 - 15:14https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseExistuje nějaké, ideálně odborné, povídání o tom jak ovlivňuje zmenšování paměťové buňky její chybovost. Dalo by se předpokládat, že bude stačit menší částice příp. částice s menším nábojem ke změně stavu (přeci jen kosmické záření tu s námi je).https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874595
+
"Velikost castice" je protimluv. U castice se muzeme bavit o hmotnosti, naboji, spinu, energii ... ale o velikosti opravdu ne. Takze pro zacatek by se hodilo vedet, jestli je nebezpecnejsi naboj nebo energie.
Tak me napada ... ze by ty kovove chladice nebyly dobre pouze k chlazeni?
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
"Velikost castice" je
HKMaly https://diit.cz/profil/hkmaly
5. 4. 2016 - 18:59https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse"Velikost castice" je protimluv. U castice se muzeme bavit o hmotnosti, naboji, spinu, energii ... ale o velikosti opravdu ne. Takze pro zacatek by se hodilo vedet, jestli je nebezpecnejsi naboj nebo energie.
Tak me napada ... ze by ty kovove chladice nebyly dobre pouze k chlazeni?https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874628
+
Z fyzikálního hlediska se prokázalo, že sníženým procesem klesá kapacita vodivého substrátu a tedy životnost vlastních čipů. Levnější výroba, vyšší výtěžnost a zvyší se míra opotřebení substrátu, která zaručí, že si koupíš novou paměť o něco dříve.
+1
-2
-1
Je komentář přínosný?
Z fyzikálního hlediska se
Step https://diit.cz/profil/jakub-stepnicka
5. 4. 2016 - 19:39https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseZ fyzikálního hlediska se prokázalo, že sníženým procesem klesá kapacita vodivého substrátu a tedy životnost vlastních čipů. Levnější výroba, vyšší výtěžnost a zvyší se míra opotřebení substrátu, která zaručí, že si koupíš novou paměť o něco dříve.
https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874632
+
Nějaká opora pro tvrzení "se prokázalo" by byla? Rád bych si to prostudoval.
+1
-3
-1
Je komentář přínosný?
Nějaká opora pro tvrzení "se
Fotobob https://diit.cz/profil/fotobob
5. 4. 2016 - 20:52https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseNějaká opora pro tvrzení "se prokázalo" by byla? Rád bych si to prostudoval.https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874638
+
TL;DR : elektrony ktere nesou el.proud, pri svem pohybu mezi atomu kovu, tem atomum rozdavaji "kopance" :) coz u vodicu mm prurezu nevadi, ale u nanometrovych prurezu casem ten vodic prerusi.... hadam ze vyrobci to berou jako pohodlne kurvitko...
+1
+3
-1
Je komentář přínosný?
naboj a zareni je jedna vec,
franzzz https://diit.cz/profil/franz-z
5. 4. 2016 - 20:02https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskusenaboj a zareni je jedna vec, pak jsou tady drobnosti jako elektromigrace :
https://en.wikipedia.org/wiki/Electromigration
TL;DR : elektrony ktere nesou el.proud, pri svem pohybu mezi atomu kovu, tem atomum rozdavaji "kopance" :) coz u vodicu mm prurezu nevadi, ale u nanometrovych prurezu casem ten vodic prerusi.... hadam ze vyrobci to berou jako pohodlne kurvitko...https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874635
+
takze tady mas odpoved - na zmenu bitu kosmicke zareni nepotrebujes, staci ti spravny software :D
+1
+1
-1
Je komentář přínosný?
Ted mi jeste napadlo...
franzzz https://diit.cz/profil/franz-z
5. 4. 2016 - 20:10https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseTed mi jeste napadlo...
http://arstechnica.com/security/2016/03/once-thought-safe-ddr4-memory-shown-to-be-vulnerable-to-rowhammer/
takze tady mas odpoved - na zmenu bitu kosmicke zareni nepotrebujes, staci ti spravny software :Dhttps://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-874637
+
Tak se to lépe odstíní. Větší problém je rušení buněk mezi sebou e-m indukcí a tunelováním.
+1
-1
-1
Je komentář přínosný?
Tak se to lépe odstíní. Větší
Borek Zanda https://diit.cz/profil/borekz
10. 4. 2016 - 08:59https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuseTak se to lépe odstíní. Větší problém je rušení buněk mezi sebou e-m indukcí a tunelováním.https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskuse#comment-875061
+
Diskuse k Samsung rozjel „10nm“ sériovou výrobu DDR4https://diit.cz/clanek/samsung-rozjel-10nm-seriovou-vyrobu-ddr4/diskusehttps://diit.cz/sites/default/files/diit-logo.png
Otázka na pokrokové uživatele: už jste někdo měl v rukou DDR4 DIMM? Má to opravdu střední část na straně kontaktů takovou lehce vystouplou, jak to ukazuje obrázek v úvodu článku?
jo, viz moje srovnávací fotka z roku 2014 tuším... http://abload.de/img/sdr-ddr-ddr2-ddr3-ddrqzrig.jpg
pak je fotografie v nadpisu článku dost prapodivná. Z jedné strany dlouhé dělší piny a z druhé strany už ne.
to vpravo není druhá strana, ale SODIMM (nejen) do notebooků
Jenže ty kontakty nejsou lehce vystouplé, ale delší. Slovo vystouplé znamená v češtině, že by ty kontakty byly uprostřed pamětí silnější než okolní kontakty.
Tak koukám, že diletantů co neumí česky se zde schází více.
mě by zase zajmalo, jestli se ta ramka zacvakává lépe než předchudci... protože zacvakat třeba 32dimmek do desky není žádnej med...
Ten tvar by mohl zasouvani pomoct. pri zatlaceni by se mely jako prvni chytnou kontakty okolo prepazky a vest DIMM v patici bez zkrizeni jako se to deje u DDR2/3. Navic neprekonavas naraz vsechny kontakty patice, ale jen tu delsi polovinu.
V ruce jsem to zatim nemel, ale mohlo by to pomoct. Souhlasim, ze mordovat se s RAMkami neni zrovna dobra zabava.
Jo, tuhle informaci jsem nakonec taky dohledal. Dává to smysl. Na vtlačení DIMMu do slotu je tak zapotřebí menší síly (nejdřív překonám část odporu pružin ve slotu, a až pak, když je ta část už překonaná, teprve začnu překonávat i ten zbytek, zatímco již vtlačená část pak už neklade takový odpor).
při zatlačávání jsem si nevšiml rozdílu, pořád je to stejný, zkusil jsem ji chytnout za ten chladící plech okolo a nevadilo jí to, zvládla to.
Nic moc informace, když uvážíme, že se již běžně vyrábí „5nm“ DDR4
Existuje nějaké, ideálně odborné, povídání o tom jak ovlivňuje zmenšování paměťové buňky její chybovost. Dalo by se předpokládat, že bude stačit menší částice příp. částice s menším nábojem ke změně stavu (přeci jen kosmické záření tu s námi je).
"Velikost castice" je protimluv. U castice se muzeme bavit o hmotnosti, naboji, spinu, energii ... ale o velikosti opravdu ne. Takze pro zacatek by se hodilo vedet, jestli je nebezpecnejsi naboj nebo energie.
Tak me napada ... ze by ty kovove chladice nebyly dobre pouze k chlazeni?
Z fyzikálního hlediska se prokázalo, že sníženým procesem klesá kapacita vodivého substrátu a tedy životnost vlastních čipů. Levnější výroba, vyšší výtěžnost a zvyší se míra opotřebení substrátu, která zaručí, že si koupíš novou paměť o něco dříve.
Nějaká opora pro tvrzení "se prokázalo" by byla? Rád bych si to prostudoval.
naboj a zareni je jedna vec, pak jsou tady drobnosti jako elektromigrace :
https://en.wikipedia.org/wiki/Electromigration
TL;DR : elektrony ktere nesou el.proud, pri svem pohybu mezi atomu kovu, tem atomum rozdavaji "kopance" :) coz u vodicu mm prurezu nevadi, ale u nanometrovych prurezu casem ten vodic prerusi.... hadam ze vyrobci to berou jako pohodlne kurvitko...
Ted mi jeste napadlo...
http://arstechnica.com/security/2016/03/once-thought-safe-ddr4-memory-sh...
takze tady mas odpoved - na zmenu bitu kosmicke zareni nepotrebujes, staci ti spravny software :D
Tak se to lépe odstíní. Větší problém je rušení buněk mezi sebou e-m indukcí a tunelováním.
jj jsou delší: http://www.bjorn3d.com/wp-content/uploads/2015/09/Kingston_HyperX_Fury_D...
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.