Konkrétně jde o 4Gbitové DDR3 čipy blíže neupřesněné frekvence, snad jedině z fotky lze usuzovat na DDR3-1600 s CL11, tedy poměrně konvenční záležitost. Při oboustranném použití na SO-DIMM PCB tak Samsung může nabídnout úsporné a levné DDR3 moduly o velikosti 4 GB.

Výrobní technologie používá modifikovaný double-patterning, atomic layer deposotion a ArF litografii využívající argon-fluoridový laser s vlnovou délkou 193 nanometrů. Právě díky double-patterningu mohl Samsung zmenšit velikost tranzistorů na 20 nanometrů, při zachování současného výrobního zařízení z předchozí generace. Na stejném principu bude stavět i přechod na 10nm-class technologii. Výrobce dále zmiňuje, že se jeho inženýrům podařilo dosáhnout nové úrovně uniformity kondenzátorů v čipech za použití utratenkých dielektrických vrstev. To dalo možnost navýšit výkon čipů.

Navíc se podařilo zvýšit i produktivitu oproti předchozímu 25nm procesu, a to o celých 30 %, resp. více než dvojnásobně oproti 30nm-class technologii. To je logické - čipy jsou menší, na wafery se jich tak vejde víc. Oproti 25nm čipům pak také klesá spotřeba jejich nových 20nm nástupců, a to až o 25 %.