eUFS, neboli embedded Universal Flash Storage, se na přelomu ledna a února posunula do verze 3.0. Neutekl ani měsíc od vydání specifikace a Samsung uvádí první čipy na ní postavené. Zatímco první čip eUFS 2.1 uvedené koncem roku 2017 dosahovaly rychlosti čtení 860 MB/s byly překonány více než za rok nepříliš rychlejšími 1000MB/s, první 512GB eUFS 3.0 čip od Samsungu dosahuje rychlosti čtení 2100 MB/s.

Specifikace eUFS 3.0 umožňují dosažení přenosové rychlosti 1450 MB/s na linku, takže u dalších zařízení postaveném na tomto standardu se může přenosová rychlost lišit. Zároveň s 512GB čipem byl vydání i 128GB. V plánu na druhé pololetí pak jsou 256GB a 1TB.

512GB eUFS 3.0 integruje 8 vrstev 512Gb V-NAND společně s řadičem do jednoho pouzdra. Samsung přirovnává rychlost k dvacetinásobku toho, čeho dosahují micro-SD karty používané v rozšiřujících slotech, rychlost čtení pak 4× vyšší oproti běžným SSD a rychlost zápisu (410 MB/s) s nimi srovnatelnou. Při náhodném čtení lze dosáhnout 63 tisíc IOPS, při náhodném zápisu 68 tisíc IOPS. To je přinejmenším než 60× více než u běžných micro-SD karet.

Předpokládá se, že prvním produktem, ve kterém se s eUFS 3.0 setkáme, bude avizovaný Samsung Galaxy Fold. Prozatím tedy půjde o hodně drahou záležitost. Nebylo by však od věci, kdyby se za pár let začalo podobné řešení integrovat na základní desku jako systémový disk s pěkným výkonem a minimálními nároky na prostor a chlazení. Ale něco takového je v horizontu nejbližších pěti let spíše utopií.