Samsung začíná s velkovýrobou 2Gbitových 30nm-class DDR3 čipů
Poslední dobou je zajímavým trendem označovat zejména v branži výroby paměťových čipů výrobní technologii „třídou“, např. pod „30nm-class“ spadá vše od 30 do 39 nm. Na této úrovni výrobního procesu začala firma Samsung produkovat vzorky 2Gbitových DDR3 paměťových čipů už v únoru tohoto roku, aby nyní mohla slavnostně oznámit, že se přehoupla do fáze velkovýroby. Jde navíc o „Green DDR3“, tedy úsporné čipy, které si při taktu 1,866 GHz vystačí s napájením 1,35 V, při 2,133 GHz pak 1,5 V.
Do konce roku by v Samsungu chtěli tvořit na tomtéž procesu 4Gbitové čipy a v dohledné době začít nabízet až 32GB registered DIMMy pro servery, 8GB unregistered DIMMy pro desktopy a SO-DIMMy téže kapacity pro notebooky. Minulý měsíc začal Samsung nabízet 32GB LRDIMM (Low-power Registered DIMM) ještě na výrobním procesu 40nm třídy (na druhém obrázku), je na něm 72 4Gbit. DDR3 čipů a paměťový buffer, který má snížit zátěž práce s paměťmi až o 75 %.