Toshiba včera na VLSI symposiu představila svojí novou technologii, která přinese další zvýšení kapacity NAND flash pamětí. Neřešili otázku větší hustoty informace zmenšováním struktury, ale vytvořením sendviče z několika vrstev. Jsou navíc schopni vše ovládat sdílenými periferními obvody, velikost samotného paměťového čipu se tak téměř nezvětší. Dvourozměrné paměťové pole se tak stává třírozměrným. To již výrobci používají, ale jednoduše na sebe vrství jednu dvourozměrnou strukturu za druhou. Toshiba má však novou velmi přesnou leptací technologii, která dovede ve vrstvách substrátu, tedy v sendviči tvořeného jednotlivými hradly oddělených izolátorem, vytvořit průchozí kolmé otvory a ty jsou vyplněny křemíkem s příměsemi. Každá taková díra pak představuje jednu paměťovou buňku a NAND flash paměť funguje díky dávkovému zpracování těchto buněk jako velkého počtu elementů zařazených do série. Celková kapacita je pak přímo úměrná počtu vrstev. Například 32 vrstev představuje 10× větší integraci, než jakou poskytuje současná technologie. Dalším cílem společnosti je dotáhnout tento způsob výroby na úroveň spolehlivosti té současné s maximálním možným využitím stávající struktury.

Když se na to podívám laickým pohledem, jeví se mi tato jejich nová technologie jako když se vezme ta současná a postaví na výšku. Vznikne tak jistá obdoba holografické paměti, tedy mnoha stránek srovnaných hezky vedle sebe. Jen zde jsou ty stránky opravdu fyzicky přítomny, nevytváří se virtuálně pomocí referenčního laserového paprsku.