Společnost Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) na svém webu oficiálně formou tiskové zprávy oznámila, že plánuje v prvním čtvrtletí roku 2010 zahájit prvotní výrobu čipů 28nm výrobním procesem, a to jak z high-k materiálů (HKMG), tak i oxynitridu křemíku (SiON). 28nm proces tak bude u TSMC prvním, který si „high-k metal gate“ vyzkouší (Intel jej má už na současném 45nm procesu, AMD s ním pravděpodobně přijde až u 32nm procesu).

Tyto dva procesy bychom asi správně měli nazývat tak, jako sama TSMC, tedy 28LPT (Low Power Technology) a 28HP (High Performance). Oba budou určeny, jak již podle názvu poznáte, pro různé účely, zatímco 28LPT nalezneme v energeticky nenáročných a hlavně jednodušších čipech určených do mobilů, bezdrátových zařízení a podobně, 28HP coby první „high-k metal gate“ technologie u TSMC bude určena k výrobě výkonných čipů, jako jsou GPU, FPGA, ale také CPU.

Neradi bychom to dávali do přímé souvislosti, ale sluší se přeci jen připomenout třeba zvěsti trvalého charakteru hovořící o tom, že TSMC bude vyrábět procesory pro AMD (pokud by to v roce 2010 byla technologie 28HP, pak to rozhodně nezní nezajímavě), stejně tak nám při pohledu na tuto zprávu vytanulo na mysli nedávné oznámení společností ARM, CHartered, IBM a Samsung o utvoření aliance s cílem vytvořit low-power 32nm a 28nm SoC (System on Chip), kde přijdou ke slovu taktéž technologie „high-k metal gate“.