Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Copyright © 1998-2024 CDR server s.r.o.
Všechna práva vyhrazena.
ISSN 1804-5405.
Hm ako nam to postupne velucne davkuju 130,110,90,60,45 nm...
Chcelo by to krajsi skok trebars na 3,14159 nm ;-)
> ako nam to postupne velucne davkuju 130,110,90,60,45 nm..
Tk aurcite nie novy proces =stary proces *1/sqrt(2)
cize 130,90,65,45,32,22 a CMOS/kremik finito
>Chcelo by to krajsi skok trebars na 3,14159 nm ;-)
pri 65 nm je totiz izolacna vrstava 5 molekul oxidu kremiciteho SiO2
a MOS je od Metal Oxid semiconductor su dva typy MOS P-MOS a N-MOS a aka logika pouziva oba typy MOS je to CMOS...
pri 22 nm bude izolacna vrstva 1 molekula SiO2 a menej sa uz neda..
Zajímavé je, že u grafik se používají ještě ty "mezikroky", zatímco u CPU ne.
CPU: 180, 130, 90, 65, 45, ...
Gfx: 180, 150, 130, 110, 90, 80, 65, 55, 45, ...
"přinese i nižší spotřebu čipů za běhu zhruba v rozmezí 10 až 20 %"
Nepřinese, protože se zvýší frekvence. Stejně jako třeba při přechodu 90nm->80nm u ATI 1650.
fotoba: S těmi 22 nm molekulu SiO2 poněkud "přeceňuješ", tak velké nejsou dokonce ani proteiny=makromolekuly, ale spíš až celé viry.
http://phycomp.technion.ac.il/~ira/types.html#SiO2
http://www-drfmc.cea.fr/en/Phocea/Vie_des_labos/Ast/ast_visu.php?id_ast=73
JM : zaměňuješ tloušťku izolace a tloušťku čáry litografického procesu - ty dvě hodnoty nejsou stejné (izolace je podstatně tenčí)
makus: Jsem si toho samozřejmě vědom [viz ostatně "můj" fr odkaz - "Ultra-thin oxides layers (<2nm) are currently basic dielectrics materials for those nanoscale Si/Ge based - electronics devices"] (;-).
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.