12nm+ proces GlobalFoundries je připraven k zahájení výroby
Proces oficiálně nazvaný 12LP+ je evolucí současného 12nm procesu GlobalFoundries (12LP), který byl evolucí 14nm procesu, původně licencovaného od Samsungu. Je potřeba říct, že přes značení, které by napovídalo menšímu posunu mezi 12nm+ a 12nm procesem než mezi 12nm a 14nm procesem, je situace opačná a alespoň podle oficiálních parametrů by 12nm+ proces měl přinést o něco výraznější změnu. Samozřejmě velmi vzdálenou do potenciálu nerealizované 7nm generace. Na druhou stranu v loňském rozboru jsme se na základě oficiálních údajů dopočítali, že parametry 12nm+ procesu by měly plus mínus odpovídat parametrům 10nm procesu Samsungu. Což by rozhodně nebylo špatné:
(původní tabulka) | GlobalFoundries 12LP+ vs 14LP | Samsung 10LPE vs 14nm |
---|---|---|
denzita | +32 % (1,15×1,15) | +30 %* |
výkon | +32 % (1,1×1,2) | +27 % |
spotřeba | >-40 % /-60% (1,15×1,4)/? | -40 % |
Jenže v současné tiskové zprávě od GlobalFoundries se dočteme něco malinko jiného, než stálo v té loňské. Konkrétně jde o pasáž: „Driving the enhanced performance of 12LP+ are features including a 20-percent SoC-level logic performance boost over 12LP, and a 10-percent improvement in logic area scaling.“ Namísto 15% nárůstu denzity tedy došlo na nižší, 10% nárůst:
(aktualizovaná) | GlobalFoundries 12LP+ vs 14LP | Samsung 10LPE vs 14nm |
---|---|---|
denzita | +27 % (1,15×1,10) | +30 %* |
výkon | +32 % (1,1×1,2) | +27 % |
spotřeba | >-40 % /-60% (1,15×1,4)/? | -40 % |
Pokud podle toho tabulku upravíme, bude nárůst denzity mezi 14nm a 12nm+ procesem GlobalFoundries dosahovat asi 27 %, zatímco rozdíl mezi 14nm a 10nm procesem Samsungu je 30 %. Na druhé straně výkonnostní posun zůstává na straně GlobalFoundries, takže lze stále konstatovat, že by 12nm+ proces GlobalFoundries měl být v průměru zhruba na úrovni 10nm procesu Samsungu.
GlobalFoundries avizovala, že ve druhém pololetí roku 2020 (které již běží) dojde na tape-out několika produktů a dále, že validace na tomto procesu zahrnují PCIe 3/4/5, USB 2/3 rozhraní, HBM2/2e, DDR/LPDDR4/4x, GDDR6 i spojení mezi čiplety. Využívána bude továrna Fab 8 na Maltě ve státě New York.
Lze očekávat, že proces (byť denzita stoupla méně, než se očekávalo) využije AMD pro příští generace centrálních čipletů - s PCIe 5.0 se evidentně počítá, takže to vypadá na čiplety pro Zen 4. GlobalFoundries rovněž počítá s vlastní nabídkou rychlých pamětí HBM2E.