Jenže nm je marketingový kec.
Se skutečnými rozměry nemá nic společného.

jm1: Díky za upřesnění...👍🏻

Samuel:
jasně že je to kec, nereflektuje to skutečnou velikost, to platilo možná naposled v době 14nm, pak se velikost tranzistoru nezmenšovala tak rychle jako samotné procesy. Nicméně pokud teď máme 3nm, tak velikost tranzistoru je řekněme 4 - 4,5 - 5nm??
Takže pokud to půjde dál a číslování procesu dojde na 10A/1nm tak velikost tranzistoru bude reálně dvojnásobná, i tak pokud tedy budu vycházet z upřesněné velikosti křemíku, tak bude tranzistor složený ze 4 sousedících atomů, to je dle mého názoru hodně malá tolerance k chybovosti.

Pak se nedivím že už teď mají výrobci polovodičů problém s výtěžností, vystřelit vysokoenergetický proudu záření a trefit konkrétní atomy a zachovat ty 4 které tvoří tranzistor, to bude chtít hodně velký skill.
TSMC sice ještě nepoužívá nejmodernější High-NA EUV ale Samsung už rozjíždí testy myslím, řekněme tedy že 3nm je zlomový bod pro tuto technologii, u TSMC to muže přijít s 2nm procesem, High-Na jim pomůže se dostat na tu fyzikální hranici křemíku.

...pak co?
Někdo objeví super úžasný materiál a celá výroba se restartuje na strukturách velkých 200nm vrstvených na sebe jako současné paměťové vrstvy aby se zachoval výpočetní výkon xxxx miliard tranzistorů? A znovu začne proces zmenšování jako dosud?🤭🤣

Už tady bylo několik úvah o takových zázračných materiálech, jako třeba uhlíkové nanotrubičky nebo karbid křemíku, ale nic z toho nemá do budoucna takový potenciál. Myslím že jednou narazíme a opravdu tvrdě, pak se začne výkon zvětšovat počtem čipů ale stejně tak úměrně tomu poroste i spotřeba.
Nad spotřebou grafických karet z poloviny 20. let se jen zasmějeme, protože ty budoucí budou žrát 2kW v osobních PC a další 1kW CPU🤣🤣🤣