Datová propustnost Knights Landing se zdá být poloviční oproti konkurenci
Když se objevily nové informace ohledně výpočetního procesoru Xeon Phi generace Knights Landing, bylo nepřekvapivějším zjištěním proporce jádra (velké) v kontrastu s počtem tranzistorů (nepříliš vysoký). Přesto, že bude jádro vyráběné na 14nm procesu, se denzita jeví jako nižší než u soudobých 28nm čipů jako Nvidia GM200 nebo AMD Fiji.
Částečně unikaly pozornosti další specifikace, které se týkají paměťového systému. Knights Landing je vybavený šesti 64bit kanály DDR4, které budou podporovat až moduly DDR4-2400. Intel uvádí paměťovou propustnost explicitně „90+ GB/s“, takže zřejmě nepočítá s podporou efektivní frekvence plných 2400 MHz u všech modelů, ale také s nižšími takty (90 GB/s by odpovídalo efektivnímu taktu 1875 MHz).
Čip Knights Landing vybavený pozicemi pro HMC paměti
Pro systémy, na kterých budou prováděné výpočty náročnější na datovou propustnost, má Intel v záloze modely vybavené navíc rychlými pamětmi, které vycházejí z konceptu HMC (jeho autorem je Micron). HMC lze chápat jako určitou alternativu k HBM; jedním z rozdílů je např. řadič integrovaný v základní vrstvě pamětí (vrstvení je jinak podobné jako u HBM).
Datovou propustnost HMC na Knights Landing uvádí Intel na 400+ GB/s. Současná GM200 od Nvidie dosahuje jen o málo nižší, dosahuje 336 GB/s s konvenčními GDDR5. AMD s první generací HBM nabízí 512 GB/s. Knights Landing je ale produkt pro rok 2016, kdy AMD i Nvidia vybaví své produkty pamětmi druhou generací HBM, která disponuje datovou propustností až 1024 GB/s, takže Xeon Phi nabídne v nejlepším případě polovinu. Aktualizováno: Nvidia Tesla P100 dosahuje 720 GB/s, Xeon Phi 55 % této hodnoty.
Srovnat můžeme i energetické nároky pamětí. Výše je podrobná tabulka s údaji o HMC a dosavadními typy pamětí. Všimněte si sloupce, kde je uveden počet miliwattů potřebných pro dosažení přenosové rychlosti 1 GB/s. HBM podle oficiálních specifikací dosahuje 42,6 GB/s na watt, tedy - přepočteno na jednotky použité v tabulce 23,5 miliwattů pro dosažení 1 GB/s. I když mohou být určité rozdíly mezi způsoby měření na obou stranách, je HBM několikanásobně efektivnější než HMC (Micron v některých materiálech uvádí, že HMC stačí polovina energie oproti GDDR5 pro dosažení stejné přenosové rychlosti). Pro zajímavost - mobilní WIO2 paměti vycházející z HBM určené pro příští generaci mobilů si vystačí s 15,6 miliwatty pro 1 GB/s. HBM2, o které příští rok půjde, budou mít ještě nižší nároky.
Zdá se, že Knights Landing to v příštím roce nebude mít snadné. Konkurence bude mít k dispozici obdobný výrobní proces i paměti obdobného typu s velmi širokým rozhraním a velmi nízkými energetickými nároky.