Společnost Fujitsu dnes oznámila, že má novou výkonnější ale hlavně úspornější 45nm technologii výroby LSI čipů. S ní jsou schopni snížit proudy při čekacích stavech na jednu pětinu i časovou prodlevu asi o 14 %. To jim umožní vyrábět zákaznické obvody, které jsou rychlejší, menší a vykazují nižší příkon než ty současné. Větší integrace se dociluje tím, že se zmenšuje délka hradla i mezera mezi nimi, což však vede ale k tomu, že když čip „nic nedělá“ (wait stav), třeba když je mobil jen v pohotovostním stavu, ani nevoláte a ani nehrajete hry nebo neposloucháte muziku, zvyšují se svodové proudy, které jsou pochopitelně nežádoucím efektem. Jejich výzkumníci ale zjistili, že když vytvoří menší source a drain elektrody, tento svodový proud se sníží. To ale zase přináší zvýšení jejich odporu a zvětšení příkopu mezi nimi. Proto byla vyvinuta nová speciální výrobní technologie zvaná „milisekundové žíhání“ (MSA) používající vyšších teplot, což způsobí snížení odporu. Krátký čas je zase potřebný pro udržení malých kontaktních source a drain elektrod.

Fujitsu plánuje tyto obvody vyrábět už od příštího roku a hledat je budeme především v mobilních zařízeních. Těšit se prý máme na mobily, co vydrží nabité až pětkrát déle.