Do budoucna tak můžeme očekávat, že obě firmy budou spolupracovat v dalším vývoji této technologie, kdy prvním krokem bude uvedení první generace produktů vyráběných 55nm výrobním procesem u Fujitsu Semiconductor.

Připomeňme, že vedle Intelova/Micronova projektu 3DXPoint jsou uhlíkové nanotrubičky, tedy víceméně upravený grafen, další z technologií, která slibuje konec NAND flash. Dosahují řádově větších rychlostí zápisu a řádově větších počtů přepisu buněk, tedy řádově delších hodnot životnosti. Technicky je též o typ pamětí, který vedle NAND flash může díky svým vysokým rychlostem - bez ohledu na schopnost udržet data i po odpojení napájení - nahradit dosud používané paměti typu DRAM (kam spadají jak DDR moduly, tak GDDR i HBM paměti).

Fujitsu Semiconductor očekává, že první produkty s NRAM uvnitř by mohla mít k dispozici v roce 2018. Někdy poté přijdou NRAM jako samostatný produkt, to až se podaří dále zvýšit kapacity a odladit výrobní procesy k vyšším výtěžnostem u větších čipů. Následně Fujitsu Semiconductors nabídne NRAM svým zákazníkům. Firma tak navazuje na vlastní vývoj nevolatilních pamětí FRAM z 90. let minulého století.

Jinými slovy: technologie uhlíkových nanotrubiček dozrála ke komerčnímu použití. Jejich výzkum běží už od 50. let 20. století.