Zatímco korejský Samsung již pro své 40nm DDR čipy získal certifikaci u Intelu, Hynix je jen o pověstný krůček pozadu. Včera firma oznámila, že dokončili vývoj 1Gbitových DDR3 čipů vyráběných 40nm procesem, které taktéž splňují specifikace Intelu pro provoz s jeho čipsety a čipy tak nyní jdou právě na certifikační testy. Sice tedy o pár dnů později, ale s o to větší parádou. Samsung se pochlubil „pouze“ s mobilními DDR3-1600 SO-DIMM, Hynix naproti tomu má na světě superrychlé DDR3-2133. Sériovou výrobu chtějí rozeběhnout ve třetím čtvrtletí tohoto roku, očekávejme tedy v předvánočním období viditelně příznivější ceny díky lepšímu výrobnímu procesu (k Hynixu a Samsungu se samozřejmě připojí další výrobci, o tom ani na okamžik nepochybujeme). Hynix v čipech aplikoval vlastní „3D tranzistory“, čipy jsou na tom z hlediska ztrátových proudů výrazně lépe a tak mají velmi příznivou spotřebu.