Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Intel představil technologii pro 48GB NAND flash čipy, chystá 10TB SSD

Intel NAND flash 25nm die
Již ve druhé polovině roku nabídne Intel novou 3D NAND flash technologii umožňující vrstvit v jednom čipu až 32 die. Jediné pouzdro tak ponese až 48 GB dat.

V nadcházejících letech umožní tato technologie uvést na trh až 10TB SSD. Ale zpět k aktuálně dokončované technologii: na při 32 NAND flash vrstvách v jediném čipu umožní v MLC verzi nabídnout čipy o kapacitě 32 GB, 48GB velikost platí pro TLC (3 bity na paměťovou buňku). Již v současné době lze připravovat uvedení 1TB SSD pro mobilní segment, s tloušťkou těla pouze 2 mm (odhad: první mm = čip, druhý mm = tišťák M.2 modulu).

Na téhle technologii není ani tak zajímavé, že vrství, nebo že dává potenciál na určité kapacity. Důležité je to, že tak současně činí při viditelném poklesu výrobních nákladů. S vrstvením desítek NAND flash die v jednom pouzdře si hrají všichni, z dalších co se drží na špici se sluší připomenout jihokorejský Samsung.

Sluší se dodat, že NAND flash jsou na implementaci ve výrobním procesu asi nejsnadnější struktura. Jsou vysoce homogenní, nevyžadují tak extrémní rychlosti jako DRAM či tak extrémní složitost jako CPU / GPU. A protože se stále zlepšuje i logika NAND flash řadičů, která musí bojovat s neustálým snižováním životnosti (množství zápisů) s klesajícími nanometry a rostoucím počtem bitů v buňce (SLC → MLC → TLC), buďme optimističtí a předpokládejme, že Intelu (a jeho výrobnímu partnerovi Micronu) se s těmito čipy bude dařit tak dobře, aby stejně jako Samsung mohl i v této nové generaci přinést enterprise SSD s TLC čipy.

Toto vše je ale hudba budoucnosti, byť blízké. Intel představil tyto novinky při rozhovoru s investory, kterým tak dal náhled na budoucí technologie, které firmu udrží na špici. Současně Intel předvedl funkční prototyp.

Samsung již dříve představil 3D V-NAND, 32vrstvou technologii dávající 86 Gbitů v MLC, resp. 128 Gbitů v TLC konfiguraci. Intel nyní předvedl prototyp dávající 256 Gbitů v MLC, resp. 384 Gbitů v TLC konfiguraci. Má tak určitý náskok, ale nebudeme tvrdit, že vidíme do laboratoří Samsungu. Je možné, že jihokorejský konkurent přijde již brzy s dalším zlepšením své technologie a nesmíme zapomínat ani na dalšího špičkového výrobce: duo SanDisk / Toshiba. Jisté ale je, že nás do dvou let čeká další viditelný pokles cen SSD, což nebude ani tak zajímavé z hlediska dnešních levných kapacity rozsahu 60 až 128 GB, osobně si myslím že ani z hlediska 240/256GB SSD, v roce 2016 bych jednoznačně pokukoval spípše v kategorii kolem 0,5 TB (případně výše).

Zdroje: 

David Ježek

Dlouholetý zdejší redaktor (2005-2017), příznivec open-source rád píšící i o ne-IT tématech. Odpůrce sw patentů a omezování občanských svobod ve prospěch korporací. Fanoušek Asimova, Kinga, Feynmana, Sudka, 70mm filmu, sf/vf filmu, Fomapanu 400, starých dobrých her, 99% čokolády, indické kuchyně, domácího kváskového chleba a řady dalších věcí.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku Intel představil technologii pro 48GB NAND flash čipy, chystá 10TB SSD

Úterý, 25 Listopad 2014 - 21:00 | Fotobob | U jablek je PRAM Parameter RAM. :-)
Úterý, 25 Listopad 2014 - 18:55 | Fotobob | To by mě zajímalo kdy. Moje datové disky víceméně...
Úterý, 25 Listopad 2014 - 18:22 | ODSakEda | ale prdlačla, fyzicky na data nesahá, krom...
Úterý, 25 Listopad 2014 - 11:59 | BTJ | No ja jsem teda presvedcen, ze HDD prakticky...
Úterý, 25 Listopad 2014 - 08:35 | Fotobob | Vzhledem k tomu, že HDD nedělá "management...
Úterý, 25 Listopad 2014 - 06:43 | Tomáš Chlopčík | Data na discích jsou většinou zabezpečená Reed-...
Úterý, 25 Listopad 2014 - 06:33 | Tomáš Chlopčík | Tak tohle beru jako zázrak - v současné době...
Úterý, 25 Listopad 2014 - 01:19 | BTJ | Taky si nepamatuju, ze by nekdy HDD umiral pomalu...
Pondělí, 24 Listopad 2014 - 23:37 | kapa | Tak chrípka je asi štastie :D moje HDD stale...
Pondělí, 24 Listopad 2014 - 22:36 | Wil | Áno to je overené. Tu je záver testu trápeneho...

Zobrazit diskusi