Je už tradicí, že si výrobci pamětí nechávají konkrétní verzi výrobního procesu pro sebe. Funguje to tak, že jako 10nm-class je označováno vše mezi 10 a 19 nanometry, přičemž první generace (také označovaná jako  1x-nm) odpovídá zhruba 18-19 nanometrům, druhá generace (1y-nm) zhruba 15-16 nanometrům a třetí (1z-nm), o které je právě řeč, tak může vycházet někam do rozpětí 11-13 nanometrů. Konkrétní čísla berte jako příklady sestavené na zkušenosti se Samsungem, který přecijen sem-tam konkrétní proces zmínil.

Micron se chlubí, že vůbec jako první použil 1z-nm proces na sériovou výrobu 16Gb DDR4. To může být pravda, ale jde o trochu specifické prvenství. Samsung nasadil 1z-nm proces dříve a stejně tak lze říct, že Samsung má 16Gb DDR4. Má dokonce i 32Gb DDR4. Ale zase ne na 1z-nm procesu. S touto kombinací ho zkrátka Micron předběhl. Samsung na 1znm procesu začal s 8Gb GDDR4, přičemž 16Gb dosud vyráběl na starším 1y-nm procesu. Na 32Gb čipy pak používá 16Gb křemíky skládané technologií DDP (dual-die package).

16Gb DDR4 Micronu vyráběné na 1z-nm procesu by měly dosahovat o 40 % nižší spotřeby než 16Gb DDR4 téhož výrobce vyráběné 1y-nm procesem. Krom nich na 1z-nm procesu rozjíždí výrobu LPDDR4 a GDDR6. Ohledně LPDDR4 byl sdílnější. Prozradil, že je vyrábí i ve variantě LPDDR4X v 16Gb provedení a nabízí je i v uMCP4 pouzdru (UFS-based multichip package). Vícečipová pouzdra umí v konfiguracích od 64GB+3GB až po 256GB+8GB. K dispozici budou až do rychlosti LPDDR4X-4266 a jejich spotřeba při přehrávání 4k videa má být o 10% nižší než u předchozí verze. Určené jsou jako obvykle mobilům, tabletům a podobným přenosným zařízením.