Výrobci pamětí se tradičně neradi chlubí konkrétním použitým procesem, a tak se namísto o např. 16nm výrobě dozvídáme o druhé generaci 10nm-class. Funguje to tak, že jako 10nm-class je označováno vše mezi 10 a 19 nanometry, přičemž první generace (také označovaná jako  1x-nm) odpovídá zhruba 18-19 nanometrům, druhá generace (1y-nm) zhruba 15-16 nanometrům a třetí (1z-nm), o které je právě řeč, tak může vycházet někam do rozpětí 11-13 nanometrů.

Ještě je třeba připomenout, že procesy, na nichž vznikají paměti, jsou odlišné od procesů, na kterých vzniká logika a dále, že i různé typy pamětí vznikají na různých variantách procesu, takže např. 1x-nm pro flash paměti znamenala 19nm proces zatímco pro DRAM to byl 18nm proces. Tedy alespoň u Samsungu. U jiných výrobců to může být jinak.

• Pokles cen pamětí během jara zpomalí

Výrobu první generace 10nm-class DRAM spustil Samsung na přelomu března a dubna 2016, výrobu druhé generace 10nm-class DRAM pak v prosinci 2017 a spuštění výroby třetí generace 10nm-class DRAM nyní ohlásil na druhou polovinu letošního roku. Proces nevyužívá EUV litografii, tu Samsung vyvíjí v souvislosti se 7nm generací (pro logiku) a dalšími procesy.

Prvním typem produktu, který na novém procesu vznikne, budou 8Gb DDR4. Ty společnost vyrábí již nyní na druhé generaci, takže výhoda jejich nástupu nebude spočívat ve vyšší kapacitě, ale v jiných ohledech. Jednak ve vyšším výkonu, který proces umožní a jednak ve vyšších výrobních kapacitách. V současnosti Samsung hovoří o více než 20% zvýšení výrobní produktivity, což znamená, že přechodem z druhé na třetí generaci 10nm-class je schopný z jednoho waferu vyrobit o více než 20% funkčních čipů. Menší proces na jedné straně zmenší struktury, takže jsou čipy menší a na wafer se jich vejde více, ale na druhé straně má o něco nižší výtěžnost, takže část čipů navíc padne za oběť těmto chybám. Výtěžnost se však postupem času lepší, takže ona „výrobní produktivita“ může časem stoupnout.

Paměti vyrobené v letošním roce na 1z-nm procesu si podle Samsungu v roce 2020 rozdělí servery a high-endové systémy. Krom 8Gb DDR4, které na procesu vzniknou jako první, počítá Samsung později s výrobou DDR5, LPDDR5, GDDR6 a dalších typů pamětí.