Podstata novinky spočívá v nasazení technologie nazvané DDP, tedy dual-die package. Každé pouzdro (čip) totiž nebude obsahovat jedno křemíkové jádro, ale rovnou dvě. Tím lze při zachování počtu čipů (a zároveň bez zvýšení kapacity úložiště na úrovní křemíkového jádra) dosáhnout 2× vyšší datové kapacity na čip a tedy i na modul. K vrstvení se používají křemíková jádra vyrobená na třetí generaci 10nm-class procesu. V současnosti se připravuje výroba vzorků, které bude Samsung dodávat partnerům, na druhou polovinu roku je nachystáno spuštění sériové výroby 10nm-class pamětí.

• Samsung ohlásil třetí generaci 10nm-class pamětí

Použití technologie DDP není ve světě pamětí úplnou novinkou, zcela nové je však v souvislosti s výrobou 32Gb (4GB) čipů, které jsou zároveň kapacitně největší. Uplatnění najdou zprvu především v segmentu serverů a pracovních stanic. Konfigurací jde o dual-rank řešení postavené na tzv. A-die. Přinejmenším zpočátku budou k dispozici v provedení DDR4-2666 s 1,2V napětím.

V médiích se objevují i další „podrobnosti“ o těchto pamětech, ale při pátrání po zdroji informace vedou všechny odkazy opět k rok starému dokumentu společnosti Samsung, jehož dataci zdroje evidentně přehlédly. Detaily provedení, konkrétní termíny a plánované varianty, které tento dokument uvádí a četné zdroje přebírají, tak dávno nemusejí odrážet skutečnost. Na samotné strategii v podobě 32Gb DDP ani zahájení 10nm-class sériové výroby ve druhé polovině letošního roku to však nic nemění.