Konkrétně jde o Yangtze River Storage Technology (YRST), Fujian Jin Hua Integrated Circuit a společný podnik firmy GigaDevice Semiconductor s vládou města Hefei v provincii Anhui. Jakkoli by se mohlo po zhruba dvou dekádách stále klesajících marží a čas od času se opakujících cenových kartelů zdáti, že na trhu DRAM se už ani nedají vydělat pořádné peníze, čínské firmy nás opět chtějí přesvědčit o opaku.

YRST, která má za sebou státe podporovaný gigant Tsinghua Unigroup aktuálně zkoumá možnost nákupu existujících továren na 300mm wafery, resp. možnost vybudování vlastních výrobních kapacit na zelené louce. Tyto kapacity, ať již k nim YRS přijde tím, či oním způsobem, budou v nedaleké budoucnosti zajišťovat výrobu čipů typu DRAM a NAND flash. YRST má aktuálně v provozu již jednu 300mm výrobnu, a to ve Wuhanu, skrze dceřinku Xinxin Semiconductor Manufacturing - od ní se právě očekává, že jako první z čínských firem přijde s výrobou vrstvených 3D NAND flash pamětí již koncem příštího roku. Obecně YRST by pak měla díky technologiím získaným od Cypress (dříve Spansion) býti schopna výroby 32 a 64vrstvých NAND flash čipů, což je též aktuální americko-japonská špička v nabídce. Z hlediska výroby DRAM zvažuje YRST kooperaci s někým z velké trojky, velmi pravděpodobně s Micron Technology.

Fujian Jin Hua Integrated Circuit již žádné varianty nezvažuje, aktuálně staví továrnu na 300mm wafery k produkci DRAM čipů. Technologii získala díky spolupráci s tchaj-wanskou United Microelectronics (UMC). Fujian Jin Hua Integrated Circuit je též podnikem nesoukromé povahy, vlastní ji vláda provincie Fujian. Ve spolupráci s UMC má do výroby nasadit připravovaný 25/30nm proces, z čehož lze usuzovat ještě na klasickou planární, nikoli FinFET výrobu. UMC si touto spoluprací vydělá stovky miliónů dolarů. Očekává se, že by Fujian Jin Hua Integrated Circuit mohla dokončit přípravy na konci roku 2017 a sériovou výrobu rozběhnout v roce 2018.

Poslední výše zmíněný společný podnik je v blíže nespecifikované fázi příprav na rozjezd výroby.