..a taky dramaticky omezi vyzarovani a RF bordel, uz aby to tu bylo :)

Tak nevim, ale cele mi to dost pripada jako typicke PR kecy. Kremik a germanium uz jsou zname dlouho, stejne tak jako polovodice na nich zalozene. Ze je germanium vhodnejsi pro vysokorychlostni zalezitosti, zatimco kremik je zase vyrobne levnejsi je take znamy fakt. Zatim jsem se nedozvedel, jak levne a masove integrovat na jeden monokrystalicky substrat Si a Ge zaroven, proto se Ge v soucasne elektronice prilis nepouziva, a vyjimkove specialitky jsou neuveritelne drahe. Pokud by se opticke propojeni mezi cipy melo dostat do mainstreamu, musela by byt zvladnuta technologie vyroby ciste Si laseru a ciste Si diod, Si PIN diody jiz sice bezne existuji, s Si lasery je to jiz horsi, ale predevsim obe vyzaduje znacne odlisny vyrobni postup, nez ten, ktery se bezne pozuiva napr. pro CPU dnes, takze integrace na jeden cip zatim prakticky nepripada v uvahu. A vyse zminena informace o reseni tohoto problemu nikde nehovori, takze je to jen takove obecne placnuti a realita je ponekud jina. Kazdopadne myslence optickeho propojeni jako takove fandim a doufam, ze se toho jednou doziji!

2J: Nanaseni dalsich vrstev lze v praxi realizovat pouze expitaxi, tam je sice trosku problem kombinovat dva materialy, ale hlavne tak muze vznikat bud vrstva amorfni, coz je v dannem pripade nepouzitelne, nebo prinejlepsim vrstva polykrystalicka, tam ale potom vznikaji defekty ve vytvorenych aktivnich prvcich, ktere se "trefi" zrovna do mista prechodu mezi jednotlivymi krystaly (coz znemoznuje praktickou vyrobu vicevrstvych cipu - myslim tim vice vrstev s tranzistory - napr. DRAM), jedinym reseni je vnest do navrhu zapojeni redundaci, coz by v pripade optickeho prijimace asi slo, staci udelat nekolik diod pohromade a propojit je paralelne, ty vadne se potom proste jen odpoji a zbyvajici budou stacit. Osobne se ale domnivam, ze hlavni problem nebude s prijimacem, ale spise s vysilacem, jak jsem jiz napsal, samostatne Si-fotodiody dnes neni problem koupit (tranzistor by byl velmi pomaly) ale lasery (vysilace) lze jen velmi obtizne vyrobit pouze z  Si a navic vyzaduji i urcite prostorove usporadani, ktereho by bylo na cipech vyrabenych dnesni planarni technologii jen velmi tezko mozno docilit. Vyjimkou jsou tzv. VSEL (VCSEL) lasery, ty se vyrabeji prave dnesnimi planarnimi technologiemi, ale ty budou zarit jen vertikane, coz sice nevadi pro pripadne propojeni cipu ze substratem, ale velmi to komplikuje moznost vyuzit to pro inter-cipove spojeni (napr. z CACHE do ALU, atp.).  Pritom SiO2 (hlavni cast dnesnich cipu) je perfektni material pro vyrobu svetlovodu, takze kdyby to bylo s temi prijimaci a vysilaci vyreseno, jiste by se na optickou komunikaci jiz davno preslo. Velice hezke povidani o dannem tematu lze nalezt zde: http://www.aldebaran.cz/bulletin/2005_07_sil.php . A nakonce snad jeste jen takovy dodatecek: pripojovat zvukovku optikou by asi byl zbytecny luxus, na to medene spoje na desce uplne bohate staci, neco jineho jsou vsak pameti, ci VGA, u sitovky jen ve specialnich pripadech, vetsina dnesnich sitovek navzajem stejne komunikuje po metalice, takze prechod na optiku  "za" sitovkou uz stejne moc nepomuze. A co se tyce HDD, tak tam staci med take uplne bohate a navic pro specialni pripady (rychla RAID pole) jiz opticke pripojeni existuje a jmenuje se  Fibre Channel (kdo by to byl rekl :-) )!  

2Barabas: o vyuziti SiGe(resp. presne, vlastne nepresne, Ge :-( ) jsem se jiz zminoval, ze o tom IBM publikovala jiz pred 10-ti lety jsem sice nevedel, ale vzhledem k tomu, jak malo bezne a levne to je dnes, tomu prave zatim moc velke sance nedavam. INTEL sice mohutne investuje do novych technologii, ale primarne proto, aby sve vyrobni naklady snizoval a ne zvysoval (jinak by na SiGe nebo GaAs, atp. presel jiz davno, pokud by mu slo o funkcni pokrok), takze pokud by to melo byt drahe, tak se to nechyti ani u INTELU, a ono to zatim vzdy drahe bylo. Nicmene o praci autoru z clanku nevim zhola nic, mozna je to fakt super, ale moc bych zato nedal ! Takovych technologii, ktere byly super, prevratne a levne tu uz bylo ohlaseno a nakonec skutek utek, z posledni doby napr. namatkou OLED displeje (vzpominate, jak meli byt velke a levne, dnes jsou spise male a drahe) nebo holograficky zapis, atd. atd. Takze uz jsem dost velky skeptik!

Jeste jednu poznamku si neodpustim, protoze jsem (alespon v oblasti pocitacu) jiz celkem pametnik, tak si zive vzpominam, jak se pred cca 10-ti lety tvrdilo, ze prekonat 1GHz hranici v CPU bude nesmirne obtizny problem, a stejne to bude vlastne nanic, protoze FSB na frekvenci 60 Megahertz (nerku-li vice) je totalni nesmyl, protoze by to vyzadoval 14-ti a vice vrstevne PCB a to nikdo v PC nezaplati, atp., atp. A hle, dnes maji relativne bezna CPU takt ke 4GHz a FSB bezne dosahuji pres 1GHz a to nas ceka jeste prechod na EUVL, 3G tranzistory u polovodicu a postupne nahrazeni paralelenich sbernic za multilink-seriove na PCB, takze i s v podstate jiz cca 20let starou technologii (Si cipy a Cu PCB) bude na jednu az dve dalsi petiletky vystarano. Takze optiky na motherboardech se sice mozna jednou dockame, ale osobne to tipuji tak nekdy za 10-15 let, pokud vubec. 

2 RaStr: No nechci moc polemizovat ale každy se muže podívat na web Intelu. Dají se tam najít články o vyrobnim nasazeni technologie "strained silicon", ktera využiva pravě SiGe materialu. Je nasazena od 90nm procesu (2002). Odlišnou technologii ale zase s využitim SiGe využiva IBM a loni oznamila AMD že naszuje SiGe v Drážďanské fabrice na 90 nm proces...

2 Barabas: Mas pravdu, ze SiGe se pouziva, ale to bude asi trosku neco jineho, mam pocit, ze se jedna o P-kanal, tj. Si dotovany Ge, nebo tak neco, urcite to nebude Ge krystal tak jak se pouziva v Ge diodach. Kazdopadne ale plati, co jsem jiz psal, samotny prijimac je jen pul problemu, a bohuzel pouzitelny vysilac(laser) z Si je zatim jeste jen sen ! PrxRST();

2 RaStr: Ale to už se motáme v kruhu, ne? Článek ke kterému diskutujeme se přece týká detekce světla. Je v něm ale také odkaz na dřívější článek o "zesilovači laserového signálu". Intel ani další firmy nepotřebují nutně laser z Si. Mohou přeci namontovat miniaturní laserovou diodu do pouzdra procesoru, její světlo vést na čip procesoru a namodulovat signál - viz. "zesilovač laserového signálu". Pak dovést namodulovaný laser světlovodem na čip (např.) paměti a tam jej převést (např.) součástkou popsanou v tomto článku zpět na elektrický datový signál. Stále to nemá logiku?