Společnosti Samsung a Toshiba se dohodly, že budou pracovat na tzv. DDR2.0 (Double Data Rate) NAND flash technologii s rozhraním schopným protlačit až 400 Mbit/s. Vyšší rychlosti je dosahováno díky asynchronnímu přenosu a uplatnění se očekává ve čtvrté generaci mobilních telefonů (4G). tablet PC a rovněž SSD, jež budou nadále nacházet stále více a více zákazníků. Tyto paměti se již budou vesměs vyrábět 30nm class technologií (tedy to může být od 30 do 39 nm).

Současná DDR technologie pouze aplikuje toto rozhraní na SDR (Single Data Rate) NAND architekturu a poskytuje maximum 133 Mbit/s, když samotná SDR zvládala pouze 40 Mbit/s. Už minulý měsíc obě společnosti započaly standardizaci pod hlavičkou JEDEC Solid State Association.