Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Samsung spustil sériovou výrobu vůbec prvních 3D DDR4 s použitím TSV

Dnes dopoledne oznámil Samsung oficiální zahájení sériové výroby DDR4 modulů vyráběných s použitím technologie 3D TSV. Oproti současným zvýší výkon a sníží spotřebu.
Samsung Ddr 4 Tsv 3 D 02

První DDR4 moduly, které využívají 3D architekturu realizovanou pomocí TSV (through-silicon vias) jsou 64GB DDR4 typu RDIMM. Technologie TSV umožňuje vrstvit křemíkové čipy přímo na sebe, přičemž komunikace mezi nimi vzájemně i spojení s PCB probíhá po spojích procházejících skrze křemík (kolmo).

Podle Samsungu tyto moduly přinášejí dvojnásobný výkon při zhruba poloviční spotřebě ve srovnání s moduly o stejné kapacitě, které jsou realizované běžnými výrobními postupy. Tisková zpráva nekonkretizuje, co přesně je míněno oním 2× vyšším výkonem, nebo jak byl měřený. Přiložený snímek zobrazuje 2133MHz moduly.

Samsung Ddr 4 Tsv 3 D 01

2133MHz DDR4 moduly vyrobené 3D TSV sendvičováním míří do serverů

Společnost má s 3D TSV spoji zkušenosti z oblasti NAND flash (3D Vertical NAND), které jsou v nabídce od minulého roku. Historie této technologie ale sahá dál, Samsung jí zdokonaluje od roku 2010, kdy vyrobil 4xnm 8GB DRAM RDIMM, o rok později se mu podařilo s využitím 3xnm technologie a TSV připravit moduly o kapacitě 64 GB. V letošním roce pak byla nasazena nová technologie na realizaci TSV spojů. Jednotlivá křemíková jádra jsou zarovnána, přiblížena na vzdálenost několika desítek mikronů a následně jsou skrze mikroskopické otvory spojena stovkami elektrod. Celek je pak uchycen k PCB. Současná generace umožňuje sendvičování 2-4 čipů, dalším cílem je překonat stávající technologickou hranici čtyř čipů.

Tagy: 
Zdroje: 

Diskuse ke článku Samsung spustil sériovou výrobu vůbec prvních 3D DDR4 s použitím TSV

Žádné komentáře.