Zatímco se Micron snažil vyvolat dojem exkluzivity, ve skutečnosti je jediným z trojice výrobců HBM3E pamětí, který nenabídl řešení o 12 vrstvách. Paměti od Micronu končí na osmi, což znamená maximálně 24GB na pouzdro, zatímco Hynix i Samsung ohlásili dvanáctivrstvá řešení, tudíž až 36GB na pouzdro. S řešením od Micronu může Nvidia dosáhnout kapacity 144 GB na GPU, s Hynixem a Samsungem 216 GB na GPU.

• Blafuje Micron? Jeho HBM3E prý (ještě) interním testováním Nvidie neprošly

Po prohlášení Micronu může znít trochu překvapivě, že Nvidia pozvala na GTC Hynix a Samsung, kteří na akci budou prezentovat právě své HBM3E paměti. Exkluzivita Micronu se tedy nekoná, naopak to vypadá, že že nabídka této společnosti je s ohledem na kapacitu slabší než korejská konkurence.

Společnosti Samsung ani Nvidia zatím nezmínily, jaké rychlosti budou dosahovat paměti použité na akcelerátoru H200. Samsung nicméně minulý měsíc, k příležitosti ohlášení HBM3E, které označuje kódovým jménem Shinebolt, uváděl rychlost až 1280 GB/s pro dvanáctivrstvý čip s tím, že jde o 50% zlepšení oproti HBM3 (jak co do přenosové rychlosti, tak do počtu vrstev a od nich odvozené kapacity).

Hynix se Samsungem v roce 2023 obsadili 94-96 % trhu s HBM pamětmi a podle prognózy společnosti Trendforce se jejich společný podíl v letošním roce (na úkor Micronu) ještě o procento zvýší.