Samsung i Hynix dodávají 12vrstvé HBM3E pro Nvidia H200, k vidění budou na GTC
Zatímco se Micron snažil vyvolat dojem exkluzivity, ve skutečnosti je jediným z trojice výrobců HBM3E pamětí, který nenabídl řešení o 12 vrstvách. Paměti od Micronu končí na osmi, což znamená maximálně 24GB na pouzdro, zatímco Hynix i Samsung ohlásili dvanáctivrstvá řešení, tudíž až 36GB na pouzdro. S řešením od Micronu může Nvidia dosáhnout kapacity 144 GB na GPU, s Hynixem a Samsungem 216 GB na GPU.
Po prohlášení Micronu může znít trochu překvapivě, že Nvidia pozvala na GTC Hynix a Samsung, kteří na akci budou prezentovat právě své HBM3E paměti. Exkluzivita Micronu se tedy nekoná, naopak to vypadá, že že nabídka této společnosti je s ohledem na kapacitu slabší než korejská konkurence.
HBM | HBM2 | LC-HBM | HBM2E | HBM3 | HBM3E | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Hynix | Samsung HBM3P | ||||||
sběrnice | 1024bit | 1024bit | 512bit | 1024bit | 1024bit | ||
rychl. rozhr. | 1 Gb/s | 2 Gb/s | ~3 Gb/s | 3,6 Gb/s | 6,4 Gb/s | 7,2 Gb/s | 10 Gb/s |
dat. prop. | 128 GB/s | 256 GB/s | ~200 GB/s | 461 GB/s | 819 GB/s | 922 GB/s | 1280 GB/s |
Společnosti Samsung ani Nvidia zatím nezmínily, jaké rychlosti budou dosahovat paměti použité na akcelerátoru H200. Samsung nicméně minulý měsíc, k příležitosti ohlášení HBM3E, které označuje kódovým jménem Shinebolt, uváděl rychlost až 1280 GB/s pro dvanáctivrstvý čip s tím, že jde o 50% zlepšení oproti HBM3 (jak co do přenosové rychlosti, tak do počtu vrstev a od nich odvozené kapacity).
kódové jméno Samsungu | rok | typ | rychl. |
---|---|---|---|
Flarebolt | 2016 | HBM2 | ~2 Gb/s |
Aquabolt | 2018 | HBM2 nadst. | 2,4 Gb/s |
Flashbolt | 2020 | HBM2E | 3,2 Gb/s |
Icebolt | 2022 | HBM3 | 6,4 Gb/s |
Snowbolt | 2024 | HBM3P | 7,2 Gb/s |
Shinebolt | 2024 | HBM3E | 10 Gb/s |
Hynix se Samsungem v roce 2023 obsadili 94-96 % trhu s HBM pamětmi a podle prognózy společnosti Trendforce se jejich společný podíl v letošním roce (na úkor Micronu) ještě o procento zvýší.