Samsung má první DDR4 paměťový modul
Kapacita modulu je zatím jen 2 GB a čipy jsou vyráběny „30nm-class“ technologií (něco mezi 30 a 39 nm). Modul pracuje efektivně na frekvenci 2 133 MHz při napětí 1,2 V. Pro srovnání: základ DDR3 je 1,5 V, DDR2 dokonce 1,8 V. Existují také Low-Power DDR3 (LPDDR3, někdy také značené DDR3L), jejich standardní napětí je 1,35 V a co se rychlostí týče, dosáhly už na 1,6 GHz, např. Elpida. (Kingston má dokonce DDR3-1333 na pouhých 1,25 V). Očekává se, že 2,133 GHz bude právě rychlost, kde DDR4 paměti začnou, my bychom spíše tipovali, že tak, jako je u DDR3 minimem 800 MHz, bude u DDR4 minimem 1 600 MHz.
K dosažení takové rychlosti spolu s nízkými energetickými nároky používá Samsung blíže nepopsanou technologii „Pseudo Open Drain“, která prý umožňuje snížit průtok proudu paměťovými čipy při čtení a zápisu na polovinu, celkově podle Samsungu spotřebovává paměťový modul od 40 % méně energie v porovnání s tradičními DDR3 moduly. Výrobci paměťových řadičů (především pak procesorů, kde jsou paměťové řadiče integrovány) mohou začít s testováním. Loňská informace o tom, že standard DDR4 má být dokončen letos (tedy v roce 2011), zřejmě bude mít něco do sebe, zajímavější to ovšem bude s tou informací o point-to-point komunikaci, kdy každý paměťový kanál snese jen jeden modul.
Kdybychom si měli tipnout, kdy to budou umět procesory Intelu a AMD, pak u Intelu bychom to odhadovali nejdříve s příchodem mikroarchitektury „Haswell“, u AMD pak ještě možná o další rok až dva později (tak daleko plány AMD neznáme, abychom vám mohli říci nějaké konkrétní krycí jméno).