pokial sa hovori o 10% zmenseni plochy cipu, tak to bude skor teoretickych 9,48683298 nm
plocha cipu sa prakticky za posledne roky nikdy nezmensila umerne zakonu druhej mocniny, napr. 28 nm cip. vs. ten isty cip vyrabany 14 nm by nebol 4x mensi, ale iba napr. 2,5x-3x mensi
rozdely oproti matematickej teorii postupom casu stupaju, napr. 14 nm cip vs. ten isty 7 nm cip nebude 4x mensi, ani 2,5x-3x, ale cca iba 2x mensi (co sa tyka plochy)
proste tie nanometre su od isteho okamihu len abstrakne haunumero vyjadrujuce istu vlastnost/vyspelost/miniaturnost cipov ale neda sa od toho odvadzat realne vztahovanie pomerov zmensenia, to slo ako-tak v casoch 100 nm a viac
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
pokial sa hovori o 10%
Pjetro de https://diit.cz/profil/pjetro-de
20. 10. 2017 - 09:21https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskusepokial sa hovori o 10% zmenseni plochy cipu, tak to bude skor teoretickych 9,48683298 nm
plocha cipu sa prakticky za posledne roky nikdy nezmensila umerne zakonu druhej mocniny, napr. 28 nm cip. vs. ten isty cip vyrabany 14 nm by nebol 4x mensi, ale iba napr. 2,5x-3x mensi
rozdely oproti matematickej teorii postupom casu stupaju, napr. 14 nm cip vs. ten isty 7 nm cip nebude 4x mensi, ani 2,5x-3x, ale cca iba 2x mensi (co sa tyka plochy)
proste tie nanometre su od isteho okamihu len abstrakne haunumero vyjadrujuce istu vlastnost/vyspelost/miniaturnost cipov ale neda sa od toho odvadzat realne vztahovanie pomerov zmensenia, to slo ako-tak v casoch 100 nm a viachttps://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085647
+
Area nieje jediný dôležitý parameter. Ak majú o 10% výkonnejšie tranzistory tak si ich môžu dovoliť použiť o 10% menej a výsledný čip bude rovnako rýchly. Podobne spotreba ak by bola tak vysoká že by nedokázali uchladiť tranzistory na čipe.
Samsung a ostatní s novým procesom vždy vylepšia všetky 3 parametre. Na druhej strane Intel zlepší vždy len jeden z nich. S 10nm síce zlepší densitu ale výkon pôjde dramaticky dole. Na druhej strane, 10nm+ zase zlepší výkon, ale densitu zase zhorší.
Takže ostatní si zaviedli nové značenie, pretože plus za procesom už neznamená inkrementálne vylepšenie ("vďaka" Intelu). Intel totálne zdegradoval staré značenie, tak si museli nájsť niečo nové.
Inak 7nm nebude len 2x menší. GloFo ho má len jeden krok za 14nm, ale zlepšenie by malo byť 2,8x (plus zlepšenie vo výkone, narozdiel od Intelu).
A ostatní ho budú mať 3,5-4x lepší (nikdy to nieje ideálne takže skôr o niečo menej). Ale zďaleka to nebude len 2x.
+1
-2
-1
Je komentář přínosný?
Ide o PPA (performance, power
Dolan https://diit.cz/profil/jogar-gobz
20. 10. 2017 - 10:08https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseIde o PPA (performance, power consumption, area).
Area nieje jediný dôležitý parameter. Ak majú o 10% výkonnejšie tranzistory tak si ich môžu dovoliť použiť o 10% menej a výsledný čip bude rovnako rýchly. Podobne spotreba ak by bola tak vysoká že by nedokázali uchladiť tranzistory na čipe.
Samsung a ostatní s novým procesom vždy vylepšia všetky 3 parametre. Na druhej strane Intel zlepší vždy len jeden z nich. S 10nm síce zlepší densitu ale výkon pôjde dramaticky dole. Na druhej strane, 10nm+ zase zlepší výkon, ale densitu zase zhorší.
Takže ostatní si zaviedli nové značenie, pretože plus za procesom už neznamená inkrementálne vylepšenie ("vďaka" Intelu). Intel totálne zdegradoval staré značenie, tak si museli nájsť niečo nové.
Inak 7nm nebude len 2x menší. GloFo ho má len jeden krok za 14nm, ale zlepšenie by malo byť 2,8x (plus zlepšenie vo výkone, narozdiel od Intelu).
A ostatní ho budú mať 3,5-4x lepší (nikdy to nieje ideálne takže skôr o niečo menej). Ale zďaleka to nebude len 2x.https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085662
+
Toto je splet hluposti, domienok a zboznych priani od zaciatku az po koniec..
+1
+1
-1
Je komentář přínosný?
Toto je splet hluposti,
Spirit_pcf https://diit.cz/profil/spiritpcf
20. 10. 2017 - 11:07https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseToto je splet hluposti, domienok a zboznych priani od zaciatku az po koniec..https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085683
+
Poznámka ku grafu: rovnaký výkon nieje viazaný na vodorovnú úroveň. Rovnaký výkon vyznačuje tá prerušovaná čiara.
Bude to horšie ako v prípade Broadwelu v porovnaní s Haswell refresh. Vtedy to bol pokles z 4-4,4 GHz na 3,3-3,8.
Tak isto zhoršenie density pri pluskových verziách potvrdil sám Intel.
Parametre ostatných procesov sú tiež z oficiálnych správ.
+1
-2
-1
Je komentář přínosný?
A čo presne?
Dolan https://diit.cz/profil/jogar-gobz
20. 10. 2017 - 11:37https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseA čo presne?
Intelov 10nm bude pomalší ako 14nm, to potvrdil sám Intel.
https://assets.pcmag.com/media/images/537479-10nm-technology-enhancements.jpg?thumb=y&width=740&height=416
Poznámka ku grafu: rovnaký výkon nieje viazaný na vodorovnú úroveň. Rovnaký výkon vyznačuje tá prerušovaná čiara.
Bude to horšie ako v prípade Broadwelu v porovnaní s Haswell refresh. Vtedy to bol pokles z 4-4,4 GHz na 3,3-3,8.
Tak isto zhoršenie density pri pluskových verziách potvrdil sám Intel.
Parametre ostatných procesov sú tiež z oficiálnych správ.https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085704
+
Tak napriklad hned prva veta, je hlupost, ktora obecne neplati:
"Ak majú o 10% výkonnejšie tranzistory tak si ich môžu dovoliť použiť o 10% menej a výsledný čip bude rovnako rýchly."
+1
+3
-1
Je komentář přínosný?
Tak napriklad hned prva veta,
Spirit_pcf https://diit.cz/profil/spiritpcf
20. 10. 2017 - 12:12https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseTak napriklad hned prva veta, je hlupost, ktora obecne neplati:
"Ak majú o 10% výkonnejšie tranzistory tak si ich môžu dovoliť použiť o 10% menej a výsledný čip bude rovnako rýchly."
https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085719
+
20. 10. 2017 - 12:44https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseHrubý odhad. Teda čisto teoreticky.
1000 FPU na 1,1 GHz aj 1100 FPU na 1 GHz bude mať toho 1,1 TFlops.
Doslovne to brať netreba, tak ako 2x lepšia densita nezabezpečí polovičnú veľkosť kremíka.
https://assets.pcmag.com/media/images/537481-die-area-scaling.jpg?thumb=y&width=740&height=420https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085740
+
Vykon tranzistoru sa meria jeho max. tepelnou stratou nie jeho max. spinacou frekvenciou.
+1
+1
-1
Je komentář přínosný?
Vykon tranzistoru sa meria
Nox https://diit.cz/profil/nox
20. 10. 2017 - 13:10https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseVykon tranzistoru sa meria jeho max. tepelnou stratou nie jeho max. spinacou frekvenciou. https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085743
+
Vy ste ale pisali o pocte tranzistorov, nie jo FPU..
+1
+1
-1
Je komentář přínosný?
Vy ste ale pisali o pocte
Spirit_pcf https://diit.cz/profil/spiritpcf
20. 10. 2017 - 14:40https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseVy ste ale pisali o pocte tranzistorov, nie jo FPU..https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085782
+
Predpokladajme že každá nová FPU navyše bude mať približne rovnaký počet tranzistorov ako existujúce.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
Predpokladajme že každá nová
Dolan https://diit.cz/profil/jogar-gobz
20. 10. 2017 - 17:56https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskusePredpokladajme že každá nová FPU navyše bude mať približne rovnaký počet tranzistorov ako existujúce.https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085854
+
To ale nedává moc smysl. Pokud dostanete o 10 % rychlejší tranzistory a nic jiného se nezmění, co se nejpravděpodobněji stane je, že dostanete novou knihovnu základních bloků (protože se změní jejich optimální návrh pro danou kombinaci parametrů vaší výrobní technologie). Ta ale nemusí dopadnout tak, že tranzistorů spotřebuje méně. Ani pracovní frekvence čipu se nemusí změnit o změnu rychlosti tranzistorů, protože např. tenké místní spoje mezi tranzistory, které jsou výrazně pomalejší než "tlusté" spoje na delší vzdálenosti, jsou pořád stejné. Takže ani to nemusí nutně znamenat, že najednou budete mít shodná jádra s frekvencí o 10 % větší.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
"Hrubý odhad. Teda čisto
Gath G https://diit.cz/profil/ggeal
20. 10. 2017 - 15:29https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse"Hrubý odhad. Teda čisto teoreticky."
To ale nedává moc smysl. Pokud dostanete o 10 % rychlejší tranzistory a nic jiného se nezmění, co se nejpravděpodobněji stane je, že dostanete novou knihovnu základních bloků (protože se změní jejich optimální návrh pro danou kombinaci parametrů vaší výrobní technologie). Ta ale nemusí dopadnout tak, že tranzistorů spotřebuje méně. Ani pracovní frekvence čipu se nemusí změnit o změnu rychlosti tranzistorů, protože např. tenké místní spoje mezi tranzistory, které jsou výrazně pomalejší než "tlusté" spoje na delší vzdálenosti, jsou pořád stejné. Takže ani to nemusí nutně znamenat, že najednou budete mít shodná jádra s frekvencí o 10 % větší.https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085794
+
Oni nerobia diskrétne tranzistory. Robia VLSI takže takže to asi bude nejak zohľadnené. A čo sa týka knižníc, neviem či to je v článku ale PDK už vydali.
Mimochodom, ich procesy mali veľmi dobré RC konštanty už od 20nm. Takže s tým by nemal byť problém.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
Oni nerobia diskrétne
Dolan https://diit.cz/profil/jogar-gobz
20. 10. 2017 - 17:55https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseOni nerobia diskrétne tranzistory. Robia VLSI takže takže to asi bude nejak zohľadnené. A čo sa týka knižníc, neviem či to je v článku ale PDK už vydali.
Mimochodom, ich procesy mali veľmi dobré RC konštanty už od 20nm. Takže s tým by nemal byť problém.https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085848
+
Proc pisete o budouci zalezitosti jako hotove veci ze bude drive?
+1
-1
-1
Je komentář přínosný?
Proc pisete o budouci
Petik https://diit.cz/profil/petik
20. 10. 2017 - 09:00https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseProc pisete o budouci zalezitosti jako hotove veci ze bude drive? https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085644
+
"ve sféře PC x86 procesorů nebo samostatných grafických jader 8 ani 10 nanometrů nezaznamenáme"
- skutecne? a co Intel Ice Lake? ja neslysel ze by Intel presmeroval svych 10nm tez na 7.
+1
-1
-1
Je komentář přínosný?
"ve sféře PC x86 procesorů
Waffer47 https://diit.cz/profil/waffer47
20. 10. 2017 - 11:17https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse"ve sféře PC x86 procesorů nebo samostatných grafických jader 8 ani 10 nanometrů nezaznamenáme"
- skutecne? a co Intel Ice Lake? ja neslysel ze by Intel presmeroval svych 10nm tez na 7.https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085695
+
A Ice lake by som si nebol istý, Intelov 14nm sa mal tiež volať inak. ;)
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
Asi myslené v spojitosti s
Dolan https://diit.cz/profil/jogar-gobz
20. 10. 2017 - 11:40https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseAsi myslené v spojitosti s procesom od Samsungu.
A Ice lake by som si nebol istý, Intelov 14nm sa mal tiež volať inak. ;)https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085707
+
Celý článek rozebírá procesy Samsungu. Je to v nadpisu, v úvodu i v textu zmíněno celkem desetkrát. Vyrábí se Ice Lake u Samsungu?
+1
+3
-1
Je komentář přínosný?
Celý článek rozebírá procesy
no-X https://diit.cz/autor/no-x
20. 10. 2017 - 17:13https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuseCelý článek rozebírá procesy Samsungu. Je to v nadpisu, v úvodu i v textu zmíněno celkem desetkrát. Vyrábí se Ice Lake u Samsungu?https://diit.cz/clanek/samsung-nabidne-8nm-proces-s-predstihem/diskuse#comment-1085842
+
Takze Samsung nabidl 8nm proces, ktery je spise 9,88nm procesem? :-)
pokial sa hovori o 10% zmenseni plochy cipu, tak to bude skor teoretickych 9,48683298 nm
plocha cipu sa prakticky za posledne roky nikdy nezmensila umerne zakonu druhej mocniny, napr. 28 nm cip. vs. ten isty cip vyrabany 14 nm by nebol 4x mensi, ale iba napr. 2,5x-3x mensi
rozdely oproti matematickej teorii postupom casu stupaju, napr. 14 nm cip vs. ten isty 7 nm cip nebude 4x mensi, ani 2,5x-3x, ale cca iba 2x mensi (co sa tyka plochy)
proste tie nanometre su od isteho okamihu len abstrakne haunumero vyjadrujuce istu vlastnost/vyspelost/miniaturnost cipov ale neda sa od toho odvadzat realne vztahovanie pomerov zmensenia, to slo ako-tak v casoch 100 nm a viac
Ide o PPA (performance, power consumption, area).
Area nieje jediný dôležitý parameter. Ak majú o 10% výkonnejšie tranzistory tak si ich môžu dovoliť použiť o 10% menej a výsledný čip bude rovnako rýchly. Podobne spotreba ak by bola tak vysoká že by nedokázali uchladiť tranzistory na čipe.
Samsung a ostatní s novým procesom vždy vylepšia všetky 3 parametre. Na druhej strane Intel zlepší vždy len jeden z nich. S 10nm síce zlepší densitu ale výkon pôjde dramaticky dole. Na druhej strane, 10nm+ zase zlepší výkon, ale densitu zase zhorší.
Takže ostatní si zaviedli nové značenie, pretože plus za procesom už neznamená inkrementálne vylepšenie ("vďaka" Intelu). Intel totálne zdegradoval staré značenie, tak si museli nájsť niečo nové.
Inak 7nm nebude len 2x menší. GloFo ho má len jeden krok za 14nm, ale zlepšenie by malo byť 2,8x (plus zlepšenie vo výkone, narozdiel od Intelu).
A ostatní ho budú mať 3,5-4x lepší (nikdy to nieje ideálne takže skôr o niečo menej). Ale zďaleka to nebude len 2x.
Toto je splet hluposti, domienok a zboznych priani od zaciatku az po koniec..
A čo presne?
Intelov 10nm bude pomalší ako 14nm, to potvrdil sám Intel.
https://assets.pcmag.com/media/images/537479-10nm-technology-enhancement...
Poznámka ku grafu: rovnaký výkon nieje viazaný na vodorovnú úroveň. Rovnaký výkon vyznačuje tá prerušovaná čiara.
Bude to horšie ako v prípade Broadwelu v porovnaní s Haswell refresh. Vtedy to bol pokles z 4-4,4 GHz na 3,3-3,8.
Tak isto zhoršenie density pri pluskových verziách potvrdil sám Intel.
Parametre ostatných procesov sú tiež z oficiálnych správ.
Tak napriklad hned prva veta, je hlupost, ktora obecne neplati:
"Ak majú o 10% výkonnejšie tranzistory tak si ich môžu dovoliť použiť o 10% menej a výsledný čip bude rovnako rýchly."
Hrubý odhad. Teda čisto teoreticky.
1000 FPU na 1,1 GHz aj 1100 FPU na 1 GHz bude mať toho 1,1 TFlops.
Doslovne to brať netreba, tak ako 2x lepšia densita nezabezpečí polovičnú veľkosť kremíka.
https://assets.pcmag.com/media/images/537481-die-area-scaling.jpg?thumb=...
Vykon tranzistoru sa meria jeho max. tepelnou stratou nie jeho max. spinacou frekvenciou.
V CMOS a VLSI? Spínacích aplikáciách?
Vy ste ale pisali o pocte tranzistorov, nie jo FPU..
Predpokladajme že každá nová FPU navyše bude mať približne rovnaký počet tranzistorov ako existujúce.
"Hrubý odhad. Teda čisto teoreticky."
To ale nedává moc smysl. Pokud dostanete o 10 % rychlejší tranzistory a nic jiného se nezmění, co se nejpravděpodobněji stane je, že dostanete novou knihovnu základních bloků (protože se změní jejich optimální návrh pro danou kombinaci parametrů vaší výrobní technologie). Ta ale nemusí dopadnout tak, že tranzistorů spotřebuje méně. Ani pracovní frekvence čipu se nemusí změnit o změnu rychlosti tranzistorů, protože např. tenké místní spoje mezi tranzistory, které jsou výrazně pomalejší než "tlusté" spoje na delší vzdálenosti, jsou pořád stejné. Takže ani to nemusí nutně znamenat, že najednou budete mít shodná jádra s frekvencí o 10 % větší.
Oni nerobia diskrétne tranzistory. Robia VLSI takže takže to asi bude nejak zohľadnené. A čo sa týka knižníc, neviem či to je v článku ale PDK už vydali.
Mimochodom, ich procesy mali veľmi dobré RC konštanty už od 20nm. Takže s tým by nemal byť problém.
Proc pisete o budouci zalezitosti jako hotove veci ze bude drive?
"ve sféře PC x86 procesorů nebo samostatných grafických jader 8 ani 10 nanometrů nezaznamenáme"
- skutecne? a co Intel Ice Lake? ja neslysel ze by Intel presmeroval svych 10nm tez na 7.
Asi myslené v spojitosti s procesom od Samsungu.
A Ice lake by som si nebol istý, Intelov 14nm sa mal tiež volať inak. ;)
Celý článek rozebírá procesy Samsungu. Je to v nadpisu, v úvodu i v textu zmíněno celkem desetkrát. Vyrábí se Ice Lake u Samsungu?
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.