O 8nm procesu společnosti Samsung jsme toho zatím příliš neslyšeli. Mluvilo se o něm pouze jednou, k příležitosti úniku aktuální interní roadmapy společnosti, kde se objevil. Tehdy jsme se dozvěděli, že půjde o FinFET proces (což ostatně není nic překvapivého) a především, že bude vyrábění klasickou imerzní litografií. Jinými slovy půjde velmi pravděpodobně o poslední generaci FinFET procesu, která nevzniká s použitím EUV litografie. Tu Samsung zavede se 7nm výrobou (GlobalFoundries a TSMC uvedou 7nm výrobu ještě s imerzní litografií).

• Samsung: 4nm proces nebude FinFET, 7nm přijde 2018, 6- a 5nm 2019

Protože se Samsungu podařilo dokončit proces kvalifikace 8nm procesu s tříměsíčním předstihem, mohl si dovolit současné uvedení a zpřístupnění rizikové výroby ještě v roce 2017 (dokonce již na začátku čtvrtého kvartálu), jak naznačovala aktuální interní roadmapa. Samsung nicméně přiznává, že důvodem, proč všechno jelo jako po másle, bylo, že 8nm proces vychází z již zvládnutého 10nm, oproti němuž snižuje nároky na plochu o 10 % a stejnou měrou snižuje i energetické nároky.

Nasazení osmi nanometrů od Samsungu proto bude lákat hlavně výrobce mobilních SoC, na které cílila i 10nm výroba téže společnosti (ve sféře PC x86 procesorů nebo samostatných grafických jader 8 ani 10 nanometrů nezaznamenáme). Označení „8 nm“ je proto - jak už je ostatně zvykem - tak trochu marketingové. Reálně bude mít tento proces proporcemi, výkonem, spotřebou i ostatními parametry blíže k firemní 10nm výrobě než k nadcházející 7nm, která bude po všech stránkách novou generací. Na tu si ale, s ohledem na první nasazení EUV litografie, ještě nějaký ten pátek počkáme. Rizikovou výrobu s využitím EUV plánuje Samsung zahájit až někdy v průběhu příštího roku. Ve srovnání s imerzní 7nm výrobou TSMC a GlobalFoundries se očekává, že bude dostupná spíše později než dříve.