Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Samsung nabídne 8nm proces s předstihem, spotřebu i plochu sníží o 10 %

Jen vzácně se stane, že některý z výrobců reálně uvede svůj proces dříve oproti původnímu očekávání. To bude případ 8nm, superúsporného procesu od Samsungu, posledního kroku před EUV litografií…

O 8nm procesu společnosti Samsung jsme toho zatím příliš neslyšeli. Mluvilo se o něm pouze jednou, k příležitosti úniku aktuální interní roadmapy společnosti, kde se objevil. Tehdy jsme se dozvěděli, že půjde o FinFET proces (což ostatně není nic překvapivého) a především, že bude vyrábění klasickou imerzní litografií. Jinými slovy půjde velmi pravděpodobně o poslední generaci FinFET procesu, která nevzniká s použitím EUV litografie. Tu Samsung zavede se 7nm výrobou (GlobalFoundries a TSMC uvedou 7nm výrobu ještě s imerzní litografií).

Protože se Samsungu podařilo dokončit proces kvalifikace 8nm procesu s tříměsíčním předstihem, mohl si dovolit současné uvedení a zpřístupnění rizikové výroby ještě v roce 2017 (dokonce již na začátku čtvrtého kvartálu), jak naznačovala aktuální interní roadmapa. Samsung nicméně přiznává, že důvodem, proč všechno jelo jako po másle, bylo, že 8nm proces vychází z již zvládnutého 10nm, oproti němuž snižuje nároky na plochu o 10 % a stejnou měrou snižuje i energetické nároky.

Nasazení osmi nanometrů od Samsungu proto bude lákat hlavně výrobce mobilních SoC, na které cílila i 10nm výroba téže společnosti (ve sféře PC x86 procesorů nebo samostatných grafických jader 8 ani 10 nanometrů nezaznamenáme). Označení „8 nm“ je proto - jak už je ostatně zvykem - tak trochu marketingové. Reálně bude mít tento proces proporcemi, výkonem, spotřebou i ostatními parametry blíže k firemní 10nm výrobě než k nadcházející 7nm, která bude po všech stránkách novou generací. Na tu si ale, s ohledem na první nasazení EUV litografie, ještě nějaký ten pátek počkáme. Rizikovou výrobu s využitím EUV plánuje Samsung zahájit až někdy v průběhu příštího roku. Ve srovnání s imerzní 7nm výrobou TSMC a GlobalFoundries se očekává, že bude dostupná spíše později než dříve.

Tagy: 
Zdroje: 

Diskuse ke článku Samsung nabídne 8nm proces s předstihem, spotřebu i plochu sníží o 10 %

Pátek, 20 Říjen 2017 - 17:56 | Dolan | Predpokladajme že každá nová FPU navyše bude mať...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 17:55 | Dolan | V CMOS a VLSI? Spínacích aplikáciách?
Pátek, 20 Říjen 2017 - 17:55 | Dolan | Oni nerobia diskrétne tranzistory. Robia VLSI...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 17:13 | no-X | Celý článek rozebírá procesy Samsungu. Je to v...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 15:29 | Gath G | "Hrubý odhad. Teda čisto teoreticky."...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 14:40 | Jakub P | Vy ste ale pisali o pocte tranzistorov, nie jo...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 13:10 | Nox Hubux | Vykon tranzistoru sa meria jeho max. tepelnou...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 12:44 | Dolan | Hrubý odhad. Teda čisto teoreticky. 1000 FPU na 1...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 12:12 | Jakub P | Tak napriklad hned prva veta, je hlupost, ktora...
Pátek, 20 Říjen 2017 - 11:40 | Dolan | Asi myslené v spojitosti s procesom od Samsungu....

Zobrazit diskusi