Samsung, stejně jako Toshiba vyvíjí všemožná řešení, aby mohl nabídnout i SSD zaměřená zejména na co nejvyšší kapacitu. To je motivace stojící za příchodem MLC a později TLC čipů, to je motivace stojící za vrstvením NAND flash die v jednom pouzdře.

Kombinací daných technologií s přidáním dalšího bitu do paměťové buňky hodlá Samsung dále skokově navýšit možnou kapacitu SSD. Stejně jako u Toshiby se ale sluší dodat, že každý další bit znamená zdvojnásobení rozlišitelných napěťových úrovní v NAND flash buňce, zde již na 16 různých hladin napětí tvořících danou 4bitovou hodnotu. Ale jestli se Samsungu bude dařit podobně jako Toshibě, nemuselo by to být s životností QLC čipů tak špatné.

V případě standardního 2,5palcového SATA SSD již nyní Samsung naznačuje, že by kapacita mohla jít až na 128 TB. V tuto chvíli má firma na trhu 4TB 2,5" SATA SSD využívající TLC čipy, ze snímku to vypadá, že onen hypotetický 128TB model by měl více PCB, takže dejme tomu čas (v řádu let), než případně k něčemu takovému uzrají výrobní technologie (mimo jiné z hlediska ne-nutnosti chlazení čipů) Zajímavostí číslo dvě na těchto náznacích je použití TSV DRAM, tedy vrstvené paměti pro SSD/řadič.

Každopádně QLC NAND flash jsou u Samsungu odteď realitou. Zvykněme si na ně, stejně jako jsme si zvykli na TLC a růst počtu NAND flash die v čipech. I díky tomu už pro příští rok Samsung ohlašuje uvedení 2TB SSD v jednom pouzdře („čipu“), což bude zajímavé i pro ultramobilní zařízení typu smartphonů.