Samsung oznámil vývoj 16Gb 12nm DDR5 pamětí, které pustí do velkokapacitní výroby v příštím roce. Budou dosahovat o 23 % nižší spotřeby oproti stávajícím čipům a nabídnou rychlost až DDR5-7200, což je 12,5 % nad standardem JEDEC (DDR5-6400).

Půjde o první paměti svého druhu a výrobce očekává, že díky kombinaci uvedených vlastností najdou uplatnění v datacentrech a systémech pro akceleraci umělé inteligence. Nejen. Samsung dále oznámil, že paměti jsou optimalizované pro procesory AMD, která právě dokončila optimalizace a validaci pro platformy vybavené architekturou Zen.

• Hynix s Intelem připravili „dual-channel“ DDR5 v rámci jednoho modulu
• Zen 4 Threadripper (Storm Peak) v září: 4-8 kanálů DDR5 a 64-128 linek PCIe 5

Samsung k výrobě používá 12nm proces kombinovaný s EUV litografií pro více vrstev a novým high-K dielektrikem. Lze očekávat, že s použitím těchto prvků a validací pro řadiče AMD vytvoří ještě zajímavější nabídku, než jakou je aktuální A-type die (A-die) od Hynixu.

Prozatím nebyl stanoven přesnější časový údaj než je spuštění velkokapacitní výroby v roce 2023. Dostupnost tudíž nemusí být nějak blízko a ještě ani Samsung nejspíš neví, kdy přesně distribuci zahájí.