Může to být překvapivé, ale MCR-DIMM vznikly spoluprácí společností Intel, Hynix a Renesas. Neobvyklá je především kombinace prvních dvou značek. Intel tradičně na paměťových technologiích spolupracoval s Micronem, ale to už se několik generací příliš nedařilo. Nejde jen o Optane; úspěchem nebyly ani HMC paměti a jejich derivát využívaný na akcelerátorech Intelu vycházejících z Larrabee. Vzpomeňme, že AMD, která sama tehdy čekala na HMC, už ztratila trpělivost, spojila se s Hynixem a přes několikaletý náskok Micronu ve vývoji HMC jej stihla předběhnout pamětmi HBM, které byly dříve na trhu, s nižší spotřebou a vyšší přenosovou rychlostí. Micron je sice schopný vyvinout řešení, které může být rychlejší než konkurenční (nebo soudobě standardní), ale náskok většinou není takový, aby ospravedlnil podstatně vyšší cenu a energetické nároky. Příkladem mohou být i GDDR6X.

• Intel s Micronem jsou ve při, rozvodové řízení IM Flash připomíná telenovelu ²⁰¹⁹

Vzhledem k tomu, že za MCR-DIMM stojí tři roky vývoje, spadá rozhodnutí o spolupráci s Hynixem právě do doby velké právní pře související s porcováním Optane.

Co je to tedy MCR-DIMM? Novinka staví na čipech vyrovnávací paměti (buffer, cache), které pro Intel a Hynix vyvinula společnost Renesas, a které mohou efektivně zdvojnásobit rychlost přenosu dat. Modul MCR DIMM je koncipovaný jako dual-rank a jak asi sami víte, dual-rank konfigurace obvykle znamená nějaké to procento výkonu navíc. Trojice výrobců šla tomuto potenciálu naproti osazením zmíněného bufferu, jehož kapacita je taková, aby bylo možné mezi procesorem a bufferem přenášet 128 bajtů dat najednou a každý rank si z toho vzal svých 64 bajtů, tedy oba paralelně plných 128 bajtů (oproti tomu u klasických modulů lze přenášet obvykle jen 64 bajtů celkem). Díky bufferu, který umožňuje plně paralelní fungování obou ranků stoupla efektivní přenosová kapacita na dvojnásobek i bez zvýšení taktovací frekvence paměťových čipů. Z hlediska přenosové kapacity tak MCR-DIMM odpovídá dvoukanálovému osazení, byť v jednom modulu a s technicky odlišným zázemím.

S ohledem na dobu zahájení vývoje (2019) lze toto řešení vnímat jako snahu určité alternativy k paměťovým modulům postaveným na technologii Optane. Druhou alternativou, která je již na světě, jsou CXL moduly, které nejspíš budou figurovat (oproti MCR-DIMM) jako poněkud high-endovější řešení. Třetím řešením jsou pak HBM na úrovni pouzdra, které Intel zavede s některými deriváty Xeonů Sapphire Rapids. Je nicméně zajímavé, že Intel vedle DDR5, HBM a CXL cítil potřebu a viděl prostor pro (ještě) další paměťovou technologii.

MCR-DIMM v tuto chvíli existují na úrovni vzorků a zatím nepadl žádný konkrétní termín, ke kterému by se mohly objevit na trhu.