Společnost Samsung zahájila velkovýrobu 4Gbitových DDR3 pamětí vyráběných 40nm technologií a také oznámila záměr touto technologií produkovat až 90 % všech svých DDR DRAM (nějak ale zapomněli uvést do kdy). Díky tomu bude možné uspořit místo a na jeden modul dostat až 32 GB, což přijde vhod asi především serverům. Průměrný současný server má prý šest registered dvoukanálových (RDIMM) paměťových modulů na procesor, čímž může dosáhnout až na kapacitu 96 GB. Mimo rozměru ale také klesá příkon, Samsung uvádí jako příklad moduly postavené z 1Gbit. DDR2 čipů vyráběných 60nm technologií, které si braly 210 W a proti nim moduly s 2Gbit. DDR3 čipy na 40 nm si už vystačí pouze s 55 W a ty současné se 4Gbitovými DDR3 dokonce 36 W. Na své si ale nepřijdou jen servery, malý rozměr i příkon je vítaný i u notebooků a tak Samsung nabídne i 8GB SO DIMM. 4Gbitové čipy budou pracovat jak s 1,5V, tak i 1,35V napětím.