Společnost si hodně slibovala od 3nm procesu, se kterým nasadila technologii GAA / MBCFET, která má zlepšit elektrické vlastnosti tranzistoru, což s sebou nese nižší spotřebu a případně vyšší takty. Jenže TSMC se podařilo klasickou cestou dosáhnout lepšího výsledku než Samsungu s GAA, a tak většina zákazníků zůstala u něj. Samsung se však nevzdává (což je jedině dobře, dříve míval tendence v případě neúspěchu zrušit vývoj některých nových procesů) a plánuje velký návrat s 2nm procesem.

Což může znít trochu zvláštně. Když jsme se loni v červnu dozvěděli první informace o 2nm procesu Samsungu, znělo to jako špatný vtip. Oproti 3nm procesu (který příliš zájemců neoslovil) měl přinést 5% zvýšení denzity, 12% zvýšení taktů (při stejné spotřebě) a nebo 20% snížení spotřeby (při stejných taktech). Je sice pravda, že CEO Intelu nedávno prohlásil, že když je posun energetické efektivity dvouciferný, lze mluvit o novém procesu. Jenže když Samsung zaostává za konkurencí, 5-12-20% zlepšení nejsou hodnoty, které by ho mohly vrátit do hry.

Vypadá to, že se korejská společnost rozhodla trochu upravit plány. Tzv. BPS (Backside Power Supply), které měla implementovat až s 1,7nm procesem, totiž použije již pro 2nm výrobu. Jde v podstatě o obdobu toho, čemu Intel říká PowerVia a co nabídne u svých procesů 20A a 18A:

Změna spočívá v oddělení a posunu napájecí vrstvy pod tranzistory, čímž má být sníženo rušení a zjednodušen návrh čipu. Přestože se o BPS hovoří jako o velké věci, posuny samotných parametrů uváděných u procesorů vybavených touto technologií nejsou stále nijak zásadní (nižší než bylo doposud obvyklé), což indikuje, že i mnohem menší mezigenerační posuny výrobních procesů budou vyžadovat mnohem více úsilí a implementace nových myšlenek.

Samsung také před pár týdny oznámil úzkou spolupráci s ARM, jejímž cílem je zajistit snadný návrh nových generací čipů pro 2nm procesy Samsungu. Prvním experimentálním ovocem této spolupráce v kombinaci s 2nm procesem vybaveným BPS mělo být snížení plochy dvou 2nm ARM návrhů o 10 a 19 % oproti 3nm ekvivalentu při jednociferném zvýšení taktovacích frekvencí. Plocha čipu tedy klesla výrazněji než o loni uváděných 5 %, takže určitý úspěch lze Samsungu přiznat. Na zásadnější hodnocení je však příliš brzy, jasno bude příští rok, kdy Samsung očekává zahájení výroby.