STT-MRAM, nástupce flash opět blíže
Zástupci firmy Fujitsu Laboratories a Tokyjské university na dnes končící Solid-State Circuits Conference 2010 v San Francisku prezentovali nový způsob čtení STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory). Tato paměť je obecně označována za nástupce současných NAND flash nejen proto, že se současnou technologií už je velmi obtížné dosáhnout další miniaturizace a zvyšování kapacity, ale STT-MRAM by měla být rovněž rychlejší. Jak z názvu vyplývá, pro uložení informace se používá magnetizace, něco podobného, jako najdete na každém pevném disku. Tato technologie ale měla jeden velký problém, při čtení mohlo dojít ke změně polarizace a tedy i ke znehodnocení zaznamenaných dat.
STT-MRAM funguje tak, že se měří proud procházející tzv. magnetickým tunelovým přechodem. Je-li odpor velký, máme tu logickou „1,“, je-li malý, pak se jedná o stav „0“, zápis se pak provádí tak, že se tunelem pustí dostatečně vysoký proud.
Čtení se dělá tak, že se zvyšuje napětí a měří se proud, jenže to byl právě ten velký problém. Vznikající proud mohl být někdy až tak vysoký, že způsobil změnu polarizace a tím pádem se informace ztratila.
Výzkumníci ale našli řešení v podobě tzv. „záporného odporu“, což je jev, který v jistých materiálech zapříčiňuje, že v charakteristice přechodu najdete místo, kde při zvyšování napětí proud neroste, ale naopak klesá. Bližší informace nám pochopitelně vývojové týmy neprozradí, to bude až předmětem patentu a velmi dobře střežené tajemství.
V každém případě tu ale máme způsob, jak při zvyšování napětí může být pokles proudu použit k indikaci logického stavu a není třeba ho zvyšovat tak, aby byla samotná informace poškozena při vyšším napětí.
Zdroje:
