Předně si připomeňme, že aktuálně TSMC nabízí snad tři varianty 16nm FinFET výroby ve svých továrnách. Každá cílí na jiný typ čipů a má trošku odlišné výrobní náklady. Kromě toho firma připravila a stále připravuje 10nm výrobu, která jistě přijde také postupem doby ve více variantách.

V přípravě ale také má další novou variantu 16nm FinFET výroby, která se ale prý tak povedla a je takovým krokem vpřed, že představuje něco podstatně lepšího, něco, co si zaslouží označení 12 nm.

Berme to jako čtvrtou generaci 16nm výrobního procesu, který svými parametry odpovídá spíše něčemu výrobně ještě menšímu, což TSMC pasovala na oněch 12 nanometrů. Vyzdvihuje zejména výrazně nižší leakage (proudové ztráty) a celkově lepší charakteristiky i z hlediska nákladů. Nový výrobní proces se brzy zapojí do nabídky firemních procesů 16nm generace, přičemž lze očekávat, že mnozí klienti o něj projeví zájem. Jmenovitě patří mezi ty hlavní například Apple, MediaTek, HiSilicon, Spreadtrum, Xilinx či Nvidia, u níž by to mohlo být zajímavé z hlediska toho, že svá menší GPU poslední generace nechává vyrábět 14nm FinFET procesem u Samsungu.