Tyto informace kolují v souvislosti s Flash Memory Summitem 2016, kdy se o 100TB SSD zmínili i další výrobci. Ať již bude ten či onen realizovat kapacitu hlavně vrstvami, nebo více bity v NAND flash buňce, výsledkem má být obrovský růst kapacity oproti současnosti již v nejbližších letech.

Toshiba o konceptu QLC hovoří již delší dobu. Připomeňme, že zatímco SLC NAND flash uchovává v paměťové buňce jen logickou 0 (reprezentovanou napětím „~0 V“) či logickou 1 (reprezentovanou nějakým rozpětím nenulových hodnot napětí), MLC čipy již musí uchovat čtyři napěťové úrovně pro hodnoty 00, 01, 10 a 11. Poslední „výkřik módy“, kterému vděčíme za levná SSD, tedy TLC čipy, uchovávají již úrovni osm, a to pro hodnoty od 000 po 111 (případně úrovní 7, pokud se rozhodnete „nulu“ nepočítat jako úroveň napětí). QLC půjde dále, úrovní bude šestnáct, od 0000 po 1111. A to je samozřejmě hodně velká technologická výzva.

Jistě si vzpomenete na mnohá SSD s SLC čipy, která mají garantovány tisíce přepisů buněk, případně až desetitisíce. U MLC už šla tato hodnota dolů a současná SSD s TLC čipy vyráběnými 15nm (Toshiba/SanDisk/WD) či 16nm (Micron) procesy mají udávanou životnost kolem malých stovek či pomalu i téměř méně než 100 přepisů. Lze tedy předpokládat, že u QLC na odpovídající výrobní technologii půjdou garantované cykly zápisů pod 100, a to možná i poměrně hluboko. Na druhou stranu toto bude vykoupeno obrovskou kapacitou a předpokladem, že SSD budou použita primárně pro úlohy, kde je málo zápisů a zato hodně opakovaného čtení dat. Spolupracovat na vývoji SSD s QLC čipy tak má s Toshibou třeba facebook, který je hodně otevřený ve vývoji a nasazování technologií pro úložiště (vzpomeňme jeho speciální modifikaci Blu-ray disků pro cold storage).