Bližší pohled na PCB
Kapitoly článků
Karta jako celek je ukázkou cenově úsporné koncepce založené na řešeních předchozích generací, které v AMD pilují již řadu let. Sapphire oproti referenčnímu návrhu, který využívají i další výrobci, přidal na napájecí obvody malý chladící plíšek, pod něj se tedy nepodíváme. Za chodu se nijak zvlášť nezahřívá.
GPU RV740 vyráběné pokročilým 40nm procesem u TSMC je na svých 640 stream procesorů nefalšovaný prcek.
Podívejme se na několik vybraných obvodů karty (zleva doprava):
- Renesas R2J20602: MOSFET integrující v sobě i řídící čip a mající vyšší efektivitu, schopný přenášet větší proudy a vypínat nepotřebné fáze. Stejné MOSFETy mimochodem využívá i základní deska MSI X58Pro.
- ST L6788A: třífázový řadič s ovládáním pro GPU nové generace - řídí napájení samotného GPU, přepínatelný pro 1 až 3 fáze s automatickou detekcí, správa napětí a monitoring probíhá přes sériovou sběrnici, reguluje napětí až do 1,35V s přesností ±2 %.
- ST 74VHCT125A: třístavový quad-bus buffer - vysokorychlostní (3,8 ns při 5V napětí) sběrnicový buffer na bázi CMOS technologie.
- Texas Instruments L317LC: 3-terminálový regulátor, výstupní napětí lze regulovat v rozsahu 1,2 až 32V, výstupní proud až 100mA, přesnost na vstupu/výstupu 0,01/0,5%. Jeden z obvodů napájení komponent karty, pracuje i za teplot vysoko nad 100°C.
- PMC Pm25LV010: 1Mbit 3,0V sériová flash paměť s rozhraním 25MHz SPI sběrnice - zde není uloženo nic jiného než BIOS karty, výrobce garantuje 100 000 cyklů mazání/programování a udžení dat nejméně po dobu 20 let.
- Infineon 040N03L: OptiMOS 3 Power-Transistor, rychle spínající MOSFET pro souvislý proud až 90 A při 10 V/25 °C, pulsně až 400 A, RDS(on),max na hodnotě 4 mΩ.
- Infineon 135N03L: OptiMOS 3 Power-Transistor, menší kolega s 30/210 A souvisle/pulsně, RDS(on),max na hodnotě 13,5 mΩ.
Takto to vypadá, když "nacpeme" Radeon HD 4770 do obyčejné a celkem přeplněné skříně Eurocase.