Pomalu přichází doba, kdy se z kusých zpráv o nových typech pamětí, které dle tiskových zpráv mají vždy nabídnout oproti současným NAND flash větší rychlosti i kapacity, ale i delší životnost a nižší příkon i menší rozměry (prostě se máme těšit jen na samá pozitiva), začnou vylupovat první fyzické čipy. A tak jsme si už povídali o MRAM Toshiby, STT-RAM Hynixu, PCM Numonyxe, FeRAM Fujitsu, nebo URAM vyvíjené korejskými vědci. Nikoho jistě nepřekvapí, že jedním z hlavních technologických vůdců je společnost Intel, kterou můžeme najít za projektem PCM (Phase Change Memory). Už v roce 2007 si totiž spolu se STMicroelectronics a Francisco Partners založili právě za účelem vývoje této paměti firmu Numonix, není asi také náhoda, že Numonyx na PCM začal letos spolupracovat i se Samsungem.

První vzorky PCM pamětí nám Intel a STMicroelectronics ukázaly loni v létě, ale to byl jen tenký plátek, tentokrát Intel oznamuje, že už jsou schopni na sebe kupit vrstvy PCM a předvedli i jeden 64Mbitový čip. Co je však nejdůležitější, dovedou udělat i vertikálně orientované paměti zvané PCMS (Phase Change Memory and Switch). Ta se skládá z jednoho PCM prvku vrstveného pomocí tzv. Ovonic Threshold Switch (OTS) do opravdového průsečíkového pole. Touto cestou se dá dosáhnout větší paměťové hustoty při zachování výkonových charakteristik PCM. Nějaká zmínka o času, který nás asi tak dělí od sériové výroby, ale opět z úst představitelů Intelu nevyšla. Více informací bude prezentováno na International Electron Devices mítinku v Baltimoru 9. prosince.