Léto letos vysloveně pamětem přeje, minulý týden se na korejském serveru Chosun Ilbo objevila zpráva, že korejský tým vědců vedený profesorem Choi Yahng-kyu vyvinul další generaci paměťového čipu s názvem Unified RAM (URAM), který kombinuje výhody DRAM s flash pamětmi, alespoň tak to světu sdělil samotný korejský ministr školství, výzkumu a technologií. Flash paměti jsou relativně pomalé, ale udrží informaci i bez napájení, DRAM jsou naopak velmi rychlé, ale bez elektřiny v nich žádná data nezůstanou. Podle této zprávy se nové URAM čipy dají vyrábět současným výrobním procesem, což by znamenalo, že nemusí být drahé.

Bohužel to jsou ale zatím veškeré informace, které jsou o URAM dostupné, jeví se to ale tak, že jde opravdu o flash s rychlostí DRAM. Víme, že nás čtou i lidé z oboru, třeba nám o URAM v diskuzi řeknou něco bližšího, my nyní můžeme pouze konstatovat, že nám funkce URAM není zas tak zcela jasná. Je to další z připravovaných nástupců flash, jako jsou již existující technologie FaFET, MRAM, STT-RAM či PCM, nebo něco zcela odlišného?

Do komerčního sektoru se prý může URAM dostat do dvou až tří let a v roce 2010 prý už trh s těmito pamětmi bude představovat 15 miliard dolarů a o pět let později dokonce až 20,4 miliardy.