GlobalFoundries zvažuje nasazení 22nm FD SOI technologie
Pro začátek krátká rekapitulace pojmů. Většina čipů je vyráběna ze dvou základních substrátů - bulk, který je levnější a umožňuje vyšší koncentraci (denzitu) tranzistorů - a SOI, který je dražší, ale lépe zvládá vyšší takty. Pak můžeme procesy dělit podle architektury tranzistorů na klasické (planární) a „3D“ (FinFET). Druhá varianta je využívána především v kombinaci s bulkovým substrátem a umožňuje snížení spotřeby a zvýšení taktů. Jenže s sebou nese mnohem vyšší náklady na vývoj čipu - vývoj je zdlouhavější a pro přípravu výroby je třeba mnohem více masek.
FinFET procesy se tak vyplatí firmám, které z jednoho návrhu vyrobí velké množství čipů. Třeba Intel, Samsung, Apple a podobně. Například pro AMD už jsou vývojové náklady na FinFET procesy dost velkým balíkem, ale stále ještě nejde o nic, co by společnost nemohla finančně zvládnout. Pro menší výrobce je ale FinFET bariéra - návrh jednoho čipu může podle složitosti vyžadovat i víc než 100 milionů dolarů.
Kromě zmíněných existují i jiné možnosti nebo kombinace. Například IBM vyvíjela 14nm FinFET SOI, který by nabízel četné výhody (spotřeba, výkon) - ovšem luxusnímu řešení by odpovídala i luxusní cena. IBM ale pomohla i s vývojem cenově dostupnějších procesů, například FD-SOI, který připravila pro (a ve spolupráci s) STMicroelectronics. Výhodou FD-SOI jsou parametry SOI procesu (nízká spotřeba v klidu, relativně vysoké maximální takty) obohacené o charakteristiky spotřeby podobné FinFET procesům. Pomineme-li další rozdíly, lze jednoduše říct, že FinFET bulk má vysoké náklady na vývoj, ale relativně nízké výrobní náklady na čip, kdežto FD-SOI má nižší náklady na vývoj, ale vyšší výrobní náklady na čip. Hodí se proto pro výrobu menších čipů v menších várkách.
O GlobalFoundries se začalo proslýchat, že by také ráda obohatila nabídku svých procesů o FD-SOI, aby měla co nabídnout menším výrobcům, kteří si nemůžou dovolit FinFET proces. Konkrétně se hovoří o 22nm FD-SOI, jde ale o neoficiální informaci. Zástupce GlobalFoundries potvrdil, že společnost skutečně má zájem FD-SOI nabídnout a zatím analyzuje situaci, ale o konkrétní verzi (tedy zda by šlo o 22nm proces) hovořit nechtěl. Potvrdil ale, že lze s FD-SOI dosahovat podobných výsledků jako s (bulk) FinFET a výrobní náklady přepočtené na jeden čip jsou srovnatelné s 28nm poly/SiON procesem. Proces lze také adaptovat pro požadavky maximálního výkonu nebo minimální spotřeby, takže nabízí i určitou flexibilitu. Časový horizont ale mluvčí nespecifikoval.