Hynix počítá s rychlejšími GDDR7 než Samsung, zmiňuje i 40Gb/s čipy
Začněme tedy GDDR7 a připomeňme, že GeForce od Nvidie z generace Blackwell mají počítat s 28 Gb/s, Samsung na GTC ukázal 32 Gb/s a ohlásil 37 Gb/s. Hynix vystavil nespecifikovaný čip, pod nímž hovoří o podpoře „až 40 Gb/s“, což je na jednu stranu víc, než s čím počítá Samsung, na druhou to nic neříká o vystaveném exempláři. Dále se dozvídáme, že Hynix počítá s 16-24Gb kapacitou (tj. 2-3 GB na čipy, ale jak již víme, nebinární /3GB/ GDDR7 nebudou dostupné hned v první vlně).
Vystavené paměti Hynixu (HardwareLuxx)
Dále byl k vidění LPDDR5T (rychlejší verze LPDDR5X) o 24GB kapacitě na 64bit sběrnici, který dosahuje přenosové rychlosti 9,6 Gb/s, což dává až 77 GB/s. Pro chytré telefony a x86 SoC s výkonnou integrovanou grafikou ideální řešení.
Poněkud větší byl třetí exponát, modul DDR5 MCRDIMM o 64GB kapacitě a rychlosti 8,8 Gb/s. MCRDIMM je řešení ze stejného hrníčku jako MRDIMM. V obou případech jde o snahu využít vícerankové konfigurace DDR5 ke zdvojnásobení datové propustnosti. MCRDIMM (Multiplexer Combined Ranks DIMM) je původně dílem Intelu, MRDIMM (Multi-Ranked Buffered DIMM) pochází od JEDEC a AMD. Pokud se od původního ohlášení obou nic nezměnilo, počítal Intel s MCRDIMM ve spojení s Xeony Granite Rapids v letech 2024-2025. MRDIMM byly ohlášené loni bez konkrétního letopočtu, snad jen se zmínkou že jejich třetí generace cílí na příští dekádu (203x).