MRAM je relativně nový druh paměti, která podobně jako flash paměti dovede podržet data i bez napájení a pravděpodobně to bude právě MRAM, která časem flash nahradí (podaří-li se dostatečně zvýšit kapacitu). Poskytuje totiž daleko vyšší rychlosti v řádech stovek MB/s, což je hranice pro flash prakticky nedosažitelná. Zatím jejich komerčnímu rozšíření brání jediné, vysoká cena. Právě proto se firmy IBM a TDK rozhodly vytvořit společný tým, který by využil znalostí obou společností, aby MRAM dovedly k vyšší rentabilitě. IBM patří k předním vývojářům MRAM a je pionýrem ve výzkumu a vývoji tzv. magnetického tunelového přechodu (MTJ - magnetic tunnel junction), základního stavebního kamenu těchto pamětí, TDK má zase zkušenosti s aplikací MTJ v hlavičkách pro pevné disky. Velkou úlohu jistě také hraje fakt, že obě také vlastní velkou spoustu patentů pro zpracování dat pomocí magnetického pole. MRAM totiž, podobně jako pevné disky, zaznamenává informaci pomocí změny orientace magnetického pole paměťové buňky.

Zatím nám trošku vázne názvosloví, jelikož MRAM se někde označuje jako Magnetic Random Access Memory a jinde zase jako Magnetoresistance Random Access Memory. Někdo si možná vybaví, že o MRAM jsme už psali v roce 2000 v souvislosti s využitím v armádě. IBM a Infineon slibovali výrobu už na rok 2004, první MRAM čip ale představila v létě roku 2002 Motorola. 16Mbitového MRAM švába už loni uměly vyrobit společnosti Toshiba a NEC, ale také FreeScale, která už rozjela i sériovou výrobu. Vsadím se, že notebooky amerických vojáků už MRAM používají nějaký ten pátek. Doufejme, že spolupráce IBM a TDK nyní MRAM také přiblíží obyčejným uživatelům.