Firma IBM oznámila zajímavou technologii spojování více čipů, kterou sama nazývá „through-silicon vias“ (něco jako „spoje skrze křemík“). Tyto spoje umožní na úrovni výrobní technologie spojovat jednotlivé křemíkové čipy vrstvením na sebe namísto skládání vedle sebe a propojování tenkými vodiči, což má podle IBM rapidně zvýšit rychlost komunikace mezi nimi a zároveň snížit spotřebu energie potřebnou pro takovou komunikaci. V neposlední řadě to též směřuje k další miniaturizaci, složitější čipy sestavené z více kousků křemíku se snáze vejdou do menšího pouzdra. Technologie je nyní ve stádiu, kdy se z laboratoří může začít stěhovat do továren.

Sama IBM už takovéto „3D“ čipy provozuje, zákazníkům začne nabízet vzorky ve druhé polovině tohoto roku, přičemž k prodeji ve velkém dojde příští rok. Prvními čipy, které touto technologií vyrobené půjdou do prodeje, budou procesory pro bezdrátovou komunikaci, IBM ji dále hodlá rozšířit i na své Power procesory, protože jak sama tvrdí, více jader bude vyžadovat více místa, takže se bude hodit stohovat jádra na sebe namísto vedle sebe (vzpomeňte na čtyřjádrové procesory Intelu, kde jsou dva kousky dvoujádrových čipů umístěny na jedné procesorové destičce vedle sebe). Nakonec to budou i paměti, které chce IBM vyrábět „through-silicon via“ technologií, sama už má vzorky SRAM čipů vyráběných 65nm technologií na 300mm křemíkových deskách. Dlužno dodat, že podobně už se snaží vrstvit třeba paměťové čipy různé firmy, jako jsou třeba Infineon či Hynix, něco obdobného ve více vrstvách slibuje také Samsung.